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Paramétrages

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1. WO2007138921 - SOLUTION DE GRAVURE POUR UN SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2007/138921
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/060415
Date du dépôt international 22.05.2007
CIB
H01L 21/308 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308en utilisant des masques
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
H01L 21/02019
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02019Chemical etching
H01L 21/30604
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30604Chemical etching
Déposants
  • 和光純薬工業株式会社 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒5408605 大阪府大阪市中央区道修町三丁目1番2号 Osaka 1-2, Doshomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5408605, JP (AllExceptUS)
  • 加藤 岳久 KATO, Takehisa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 柿沢 政彦 KAKIZAWA, Masahiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 林田 一良 HAYASHIDA, Ichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 加藤 岳久 KATO, Takehisa; JP
  • 柿沢 政彦 KAKIZAWA, Masahiko; JP
  • 林田 一良 HAYASHIDA, Ichiro; JP
Données relatives à la priorité
2006-14642326.05.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ETCHING SOLUTION FOR SUBSTRATE
(FR) SOLUTION DE GRAVURE POUR UN SUBSTRAT
(JA) 基板エッチング液
Abrégé
(EN)
Disclosed are an etching solution for a substrate and a substrate-etching method, which can prevent the contamination of a substrate, particularly a semiconductor substrate, with metal impurities. The etching solution comprises a dicarboxylic acid represented by the general formula (1) or a salt thereof and 20% (W/W) or more of an alkali metal hydroxide. The substrate-etching method comprises the step of etching a substrate with the etching solution. (1) wherein T1 and T2 independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or T1 and T1 together form a bond; and R1 to R4 independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, provided that, when T1 and T2 do not together form a bond, any two of T1, T2 and R1 to R4 represent a carboxyl group, and any one of the remainder represents a hydroxyl group, and the others independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and when T1 and T2 together form a bond, any two of R1 to R4 represent a carboxyl group, and the others independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
(FR)
L'invention concerne une solution de gravure pour un substrat et un procédé de gravure d'un substrat permettant d'empêcher la contamination d'un substrat, en particulier d'un substrat semi-conducteur, par des impuretés métalliques. La solution de gravure comprend un acide dicarboxylique représenté par la formule générale (1) ou un sel de celui-ci et 20 % (p/p) ou plus d'un hydroxyde d'un métal alcalin. Le procédé de gravure d'un substrat comprend l'étape consistant à attaquer un substrat avec la solution de gravure. (1) formule dans laquelle T1 et T2 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe hydroxyle, un groupe carboxyle ou un groupe alkyle ayant 1 à 3 atomes de carbone ou bien T1 et T2 forment ensemble une liaison ; et R1 à R4 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe hydroxyle, un groupe carboxyle ou un groupe alkyle ayant 1 à 3 atomes de carbone, à condition que, lorsque T1 et T2 ne forment pas ensemble une liaison, deux groupes quelconques choisis parmi T1, T2 et R1 à R4 représentent chacun un groupe carboxyle et l'un quelconque des groupes restants représente un groupe hydroxyle et les autres représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle ayant 1 à 3 atomes de carbone et, lorsque T1 et T2 forment ensemble une liaison, deux groupes quelconques choisis parmi R1 à R4 représentent chacun un groupe carboxyle et les autres représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle ayant 1 à 3 atomes de carbone.
(JA)
 基板、特に半導体基板の金属不純物の汚染を抑制し得る基板のエッチング液及びエッチング方法を提供すること。  下記一般式(1)で示されるジカルボン酸又はその塩と、20%(W/W)以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなるエッチング液、及び基板を当該エッチング液でエッチングすることを特徴とする基板のエッチング方法。 (式中、T1及びT2はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、カルボキシル基、炭素数1~3のアルキル基又は、T1とT2とで結合手を形成していることを表し、R1~R4はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、カルボキシル基又は炭素数1~3のアルキル基を表す。但し、T1とT2とで結合手を形成していない場合は、T1、T2及びR1~R4のいずれか2つはカルボキシル基であり、残りのいずれか1つは水酸基であり、これら以外はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1~3のアルキル基であり、T1とT2とで結合手を形成している場合は、R1~R4のいずれか2つはカルボキシル基であり、残りはそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1~3のアルキル基である。)
Également publié en tant que
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