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1. WO2007138786 - PROCÉDÉ DESTINÉ À RÉDUIRE L'ÉPAISSEUR D'UN SUBSTRAT, SYSTÈME DE STRATIFICATION ET SYSTÈME DE RÉDUCTION DE L'ÉPAISSEUR D'UN SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2007/138786
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/057538
Date du dépôt international 04.04.2007
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 23/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
CPC
H01L 21/4853
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
4853Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
H01L 21/4857
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
4857Multilayer substrates
H01L 21/67011
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
H01L 21/67092
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67092Apparatus for mechanical treatment
H01L 21/6835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
H01L 21/6836
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
Déposants
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
  • 稲尾 吉浩 INAO, Yoshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 岩田 泰昌 IWATA, Yasumasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 三隅 浩一 MISUMI, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 浅井 隆宏 ASAI, Takahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 稲尾 吉浩 INAO, Yoshihiro; JP
  • 岩田 泰昌 IWATA, Yasumasa; JP
  • 三隅 浩一 MISUMI, Koichi; JP
  • 浅井 隆宏 ASAI, Takahiro; JP
Mandataires
  • 小山 有 KOYAMA, Yuu; 〒1020094 東京都千代田区紀尾井町3-29 フルヤビル4階 Tokyo 4th Floor, Furuya Bldg. 3-29, Kioicho, Chiyoda-ku Tokyo 1020094, JP
Données relatives à la priorité
2006-15298701.06.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR REDUCING THICKNESS OF SUBSTRATE, LAMINATION SYSTEM, AND SUBSTRATE THICKNESS REDUCTION SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À RÉDUIRE L'ÉPAISSEUR D'UN SUBSTRAT, SYSTÈME DE STRATIFICATION ET SYSTÈME DE RÉDUCTION DE L'ÉPAISSEUR D'UN SUBSTRAT
(JA) 基板の薄板化方法、貼り合わせシステムおよび薄板化システム
Abrégé
(EN)
[PROBLEMS] To provide a method for reducing the thickness of a substrate, which can reduce the thickness of a wafer (a substrate) with a bump provided on a circuit forming face without the separation of the bump. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A liquid resin (4) is coated to a larger thickness than the height of a bump (2) by a squeegee (3) onto a wafer (substrate) (W) in its surface (W1), and the coating is baked to form a protective film (5) having an even thickness. Thereafter, a support plate (6) is superimposed on the protective film (5), and the support plate (6) is pressed by a head (7) to conduct adhesion of the support plate (6) to the protective film (5). Next, the assembly is turned upside-down, and the backside (W2) of the wafer (W) is ground by a grinder (13) to reduce the thickness. Thereafter, a solvent is supplied through a solvent supply pipe (9) in the head (7), and the solvent is spread to the bonding interface of the protective film (5) and the support plate (6) through a number of solvent supply holes (8) in the support plate (6) to dissolve the protective film (5). Further, the solvent containing the protective film (5) dissolved therein is recovered from a solvent recovery pipe (10) in the head (7).
(FR)
[PROBLÈMES] L'objet est de fournir un procédé destiné à réduire l'épaisseur d'un substrat, qui peut réduire l'épaisseur d'une galette (un substrat) avec une bosse disposée sur un circuit formant une surface sans la séparation de la bosse. [MOYENS PERMETTANT DE RÉSOUDRE LES PROBLÈMES] Une résine fluide (4) est appliquée sous forme de revêtement sur une épaisseur supérieure à la hauteur d'une bosse (2) au moyen d'une raclette (3) sur une galette (substrat) (W) sur sa surface (W1), et le revêtement est durci afin de former un film protecteur (5) ayant une épaisseur régulière. Par la suite, une plaque support (6) est superposée sur le film protecteur (5), et la plaque support (6) est pressée par une tête (7) afin de garantir l'adhérence de la plaque support (6) au film protecteur (5). Ensuite, l'ensemble est retourné et la partie arrière (W2) de la galette (W) est écrasée par une meuleuse (13) afin de réduire l'épaisseur. Par la suite, un solvant est amené au moyen d'une conduite d'alimentation en solvant (9) dans la tête (7), et le solvant est étalé sur l'interface de liaison du film protecteur (5) est la plaque support (6) à travers un certain nombre de trous d'alimentation en solvant (8) dans la plaque support (6) afin de dissoudre le film protecteur (5). En outre, le solvant contenant le film protecteur (5) dissous dans celui-ci est récupéré à partir d'une conduite de récupération de solvant (10) dans la tête (7).
(JA)
【課題】 回路形成面にバンプが設けられたウェーハ(基板)をバンプの剥離を伴うことなく薄板化することができる基板の薄板化方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハ(基板)Wの表面W1にスキージ3を用いて液状樹脂4をバンプ2の高さよりも厚く塗布し、ベークすることで均一な厚みの保護膜5を形成する。この後、保護膜5の上にサポートプレート6を重ね、更にヘッド7によってサポートプレート6を押し付けてサポートプレート6と保護膜5を接着する。次いで上下反転せしめてウェーハWの裏面W2をグラインダー13にて研削し薄板化する。この後、ヘッド7の溶剤供給用配管9から溶剤を供給し、サポートプレート6の多数の溶剤供給孔8を介して保護膜5とサポートプレート6の接着界面に溶剤を行き渡らせて保護膜5を溶解せしめ、更に保護膜5が溶けた溶剤をヘッド7の溶剤回収用配管10から回収する。
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