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1. WO2007138692 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2007/138692
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2006/310879
Date du dépôt international 31.05.2006
CIB
H01L 21/8238 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H01L 27/092 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
CPC
H01L 21/823842
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
823828with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
823842gate conductors with different gate conductor materials or different gate conductor implants, e.g. dual gate structures
H01L 21/823857
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8238Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
823857with a particular manufacturing method of the gate insulating layers, e.g. different gate insulating layer thicknesses, particular gate insulator materials or particular gate insulator implants
Déposants
  • 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
  • 倉橋 輝雄 KURAHASHI, Teruo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 三島 康由 MISHIMA, Yasuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 崎田 幸恵 SAKITA, Yukie [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 倉橋 輝雄 KURAHASHI, Teruo; JP
  • 三島 康由 MISHIMA, Yasuyoshi; JP
  • 崎田 幸恵 SAKITA, Yukie; JP
Mandataires
  • 北野 好人 KITANO, Yoshihito; 〒1600015 東京都新宿区大京町9番地 エクシード四谷2階 Tokyo Exceed Yotsuya 2nd Floor 9, Daikyo-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1600015, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé
(EN)
A semiconductor device is provided with an NMOS transistor (12n), which is formed on an NMOS transistor region (14n) of a silicon substrate (10) and is provided with an N-type metal gate electrode (28n) having a HfSiN film (24) and a low resistance metal film (26). The semiconductor device is also provided with a PMOS transistor (12p), which is formed on a PMOS transistor region (14p) of the silicon substrate (10) and is provided with a P-type metal gate electrode (28p) having a HfN film (42) and a low resistance metal film (26). The number of silicon atoms included in the HfSiN film (24) is 1.8-170% to the number of Hf atoms.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur doté d'un transistor NMOS (12n), qui est formé sur une région de transistor NMOS (14n) d'un substrat en silicium (10) et qui est fourni avec une électrode métallique de grille de type N (28n) ayant un film HfSiN (24) et une pellicule métallique de faible résistance (26). Le dispositif semi-conducteur est aussi accompagné d'un transistor PMOS (12p) qui est formé sur une région de transistors PMOS (14p) du substrat en silicium (10) et qui est doté d'une électrode métallique de grille de type P (28p) ayant un film HfN (42) et une pellicule métallique de faible résistance (26). Le nombre d'atomes de silicium compris dans le film HfSiN (24) est de 1,8-170 % du nombre d'atomes Hf.
(JA)
 シリコン基板10のNMOSトランジスタ領域14n上に形成され、HfSiN膜24と低抵抗金属膜26とを有するN型メタルゲート電極28nを有するNMOSトランジスタ12nと、シリコン基板10のPMOSトランジスタ領域14p上に形成され、HfN膜42と低抵抗金属膜26とを有するP型メタルゲート電極28pを有するPMOSトランジスタ12pとを有し、HfSiN膜24において、含有されるシリコンの原子数は、Hfの原子数に対して1.8~170%となっている。
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