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Paramétrages

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1. WO2007138554 - CROISEMENT DE COMMANDE PAR MODIFICATION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION DE LONGUEUR D'ONDE

Numéro de publication WO/2007/138554
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/IB2007/052029
Date du dépôt international 30.05.2007
CIB
H01L 33/50 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/58 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58Éléments de mise en forme du champ optique
CPC
H01L 2224/73253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73251on different surfaces
73253Bump and layer connectors
H01L 2933/0041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0041relating to wavelength conversion elements
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/508
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
508having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
H01L 33/58
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (MC)
  • PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC [US/US]; 370 West Trimble Road San José, California 95131, US (AllExceptUS)
Inventeurs
  • PAOLINI, Steve; US
  • CAMRAS, Michael, D.; US
  • CHAO PUJOL, Oscar, A.; US
  • STERANKA, Frank, M.; US
  • EPLER, John, E.; US
Mandataires
  • ROLFES, Johannes, G., A.; Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité
11/444,59231.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COLOR CONTROL BY ALTERATION OF WAVELENGTH CONVERTING MEMBER
(FR) CROISEMENT DE COMMANDE PAR MODIFICATION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION DE LONGUEUR D'ONDE
Abrégé
(EN)
A light emitting device is produced by depositing a layer of wavelength converting material over the light emitting device, testing the device to determine the wavelength spectrum produced and correcting the wavelength converting member to produce the desired wavelength spectrum. The wavelength converting member may be corrected by reducing or increasing the amount of wavelength converting material. In one embodiment, the amount of wavelength converting material in the wavelength converting member is reduced, e.g., through laser ablation or etching, to produce the desired wavelength spectrum.
(FR)
Pour produire un dispositif électroluminescent, on dépose sur celui-ci une couche de matériau convertisseur de longueur d'onde, on teste le dispositif pour déterminer le spectre de longueur d'onde obtenu et on corrige l'élément de conversion de longueur d'onde pour obtenir le spectre désiré. L'élément de conversion de longueur d'onde peut être corrigé par réduction ou augmentation de la quantité de matériau de conversion de longueur d'onde. Selon une forme d'exécution, on réduit la quantité de matériau de conversion de longueur d'onde de l'élément de conversion par ablation par laser ou par attaque chimique, par exemple, pour obtenir le spectre de longueur d'onde désiré.
Également publié en tant que
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