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Paramétrages

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1. WO2007138535 - PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR FILS DE CONNEXION COMPOSITES

Numéro de publication WO/2007/138535
Date de publication 06.12.2007
N° de la demande internationale PCT/IB2007/051972
Date du dépôt international 25.05.2007
CIB
H01L 23/49 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
49du type fils de connexion
C22C 1/10 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
1Fabrication des alliages non ferreux
10Alliages contenant des composants non-métaux
C22C 32/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
32Alliages non ferreux contenant entre 5 et 50% en poids d'oxydes, de carbures, de borures, de nitrures, de siliciures ou d'autres composés métalliques, p.ex. oxynitrures, sulfures, qu'ils soient soient ajoutés comme tels ou formés in situ
CPC
B22F 2998/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER
2998Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
C22C 1/1036
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
1Making alloys
10Alloys containing non-metals
1036starting from a melt
H01L 2223/6611
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
6605High-frequency electrical connections
6611Wire connections
H01L 2224/32225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
321Disposition
32151the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
32221the body and the item being stacked
32225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
H01L 2224/43
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
43Manufacturing methods
H01L 2224/45015
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
45of an individual wire connector
45001Core members of the connector
4501Shape
45012Cross-sectional shape
45015being circular
Déposants
  • NXP B.V. [NL/NL]; Nxp B.v. High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven, NL (AllExceptUS)
  • WYLAND, Chris [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • WYLAND, Chris; US
Mandataires
  • ZAWILSKI, Peter; c/o NXP Semiconductors IP Department 1109 McKay Drive San Jose, CA 95131 , US
Données relatives à la priorité
60/808,58725.05.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND SYSTEM FOR COMPOSITE BOND WIRES
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR FILS DE CONNEXION COMPOSITES
Abrégé
(EN)
Bond wires for integrated circuits are implemented using a variety of methods. Using one such method, a composite bond wire is produced for use in an integrated circuit. A conductive material is melted and mixed with a material of particles less than 100 micrometers in size to create a mixture. The mixture is used to create the composite bond wire. A composite wire having an inner core and an outer layer having a higher conductivity than the inner core is also provided. The outer layer is designed to be thicker than the skin depth at the operating frequency for carrying AC signals.
(FR)
Des fils de connexion pour circuits intégrés sont réalisés selon divers procédés. Selon un de ces procédés, un fil de connexion composite a été produit pour être utilisé dans un circuit intégré. Un matériau conducteur est fondu et mélangé à un matériau dont la grosseur des particules est inférieure à 100 micromètres de façon à former le mélange. Le mélange est utilisé pour créer le fil de connexion composite. L'invention concerne également une âme intérieure et une couche extérieure qui présente une conductivité supérieure à celle de l'âme. Cette couche extérieure est plus importante que la couche de pénétration à la fréquence de fonctionnement pour l'acheminement de signaux CA.
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