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1. (WO2007109021) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE À CONSOMMATION D'ÉNERGIE RÉDUITE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION CORRESPONDANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/109021    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/006316
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 14.03.2007
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83707-0006 (US) (Tous Sauf US).
LIU, Jun [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Jun; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro LLP, 1825 Eye Street, Nw, Washington, DC 20006-5403 (US)
Données relatives à la priorité :
11/377,664 17.03.2006 US
Titre (EN) REDUCED POWER CONSUMPTION PHASE CHANGE MEMORY AND METHODS FOR FORMING THE SAME
(FR) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE À CONSOMMATION D'ÉNERGIE RÉDUITE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION CORRESPONDANTS
Abrégé : front page image
(EN)Memory cells (200) for reduced power consumption and methods for forming the same are provided. A memory cell has a layer (205) of phase change material. A first portion (206) of the phase change material layer includes the programmable volume (202) of the memory cell and its crystalline state has a higher resistivity than that of the crystalline state of a second portion (207) of the phase change material layer.
(FR)L'invention concerne des cellules de mémoire (200) destinées à la consommation d'énergie réduite et des procédés pour les former. Une cellule de mémoire comprend une couche (205) de matériau à changement de phase. Une première partie (206) de matériau à changement de phase comprend un volume programmable (202) de la cellule de mémoire et son état cristallin présente une résistivité plus élevée que celle de l'état cristallin d'une deuxième partie (207) du matériau à changement de phase.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)