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1. WO2007109021 - MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE À CONSOMMATION D'ÉNERGIE RÉDUITE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION CORRESPONDANTS

Numéro de publication WO/2007/109021
Date de publication 27.09.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/006316
Date du dépôt international 14.03.2007
CIB
H01L 45/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 45/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
06based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
H01L 45/143
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
141Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
143Selenides, e.g. GeSe
H01L 45/144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
141Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
144Tellurides, e.g. GeSbTe
H01L 45/148
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
148Other compounds of groups 13-15, e.g. elemental or compound semiconductors
H01L 45/165
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
16Manufacturing
1641Modification of the switching material, e.g. post-treatment, doping
165by implantation
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • LIU, Jun [CN]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • LIU, Jun
Mandataires
  • D'AMICO, Thomas, J.
Données relatives à la priorité
11/377,66417.03.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) REDUCED POWER CONSUMPTION PHASE CHANGE MEMORY AND METHODS FOR FORMING THE SAME
(FR) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE À CONSOMMATION D'ÉNERGIE RÉDUITE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION CORRESPONDANTS
Abrégé
(EN)
Memory cells (200) for reduced power consumption and methods for forming the same are provided. A memory cell has a layer (205) of phase change material. A first portion (206) of the phase change material layer includes the programmable volume (202) of the memory cell and its crystalline state has a higher resistivity than that of the crystalline state of a second portion (207) of the phase change material layer.
(FR)
L'invention concerne des cellules de mémoire (200) destinées à la consommation d'énergie réduite et des procédés pour les former. Une cellule de mémoire comprend une couche (205) de matériau à changement de phase. Une première partie (206) de matériau à changement de phase comprend un volume programmable (202) de la cellule de mémoire et son état cristallin présente une résistivité plus élevée que celle de l'état cristallin d'une deuxième partie (207) du matériau à changement de phase.
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