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1. WO2007108262 - TRANSMETTEUR/RECEPTEUR

Numéro de publication WO/2007/108262
Date de publication 27.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/052774
Date du dépôt international 15.02.2007
CIB
H01L 23/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02Conteneurs; Scellements
H04B 1/38 2015.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
BTRANSMISSION
1Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes H04B3/-H04B13/124; Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
38Émetteurs-récepteurs, c. à d. dispositifs dans lesquels l'émetteur et le récepteur forment un ensemble structural et dans lesquels au moins une partie est utilisée pour des fonctions d'émission et de réception
CPC
H01L 23/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
02Containers; Seals
10characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
H01L 23/552
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
552Protection against radiation, e.g. light ; or electromagnetic waves
H01L 23/66
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
H01L 25/165
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
16the devices being of types provided for in two or more different main groups of H01L27/00 - H01L49/00 ; and H01L51/00; , e.g. forming hybrid circuits
165Containers
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 2924/1423
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
11Device type
14Integrated circuits
141Analog devices
1423Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
Déposants
  • 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 八十岡 興祐 YASOOKA, Kousuke [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 八十岡 興祐 YASOOKA, Kousuke
Mandataires
  • 酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki
Données relatives à la priorité
2006-07950122.03.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TRANSMITTER/RECEIVER
(FR) TRANSMETTEUR/RECEPTEUR
(JA) 送受信装置
Abrégé
(EN)
A metal ring (2) and a metal cover (3) are provided on a substrate (1); the metal ring (2) is secured to the substrate (1) by soldering; and the metal cover (3) is welded along the metal ring (2). A transmission cavity (4) and a reception cavity (5) are welded excepting a portion to be a vent (10), and the location of the vent is shifted by λg/4 from the center of cavity, where λg is the resonance wavelength by the cavity size. Consequently, a microwave integrated circuit of low moisture resistance can be mounted, while ensuring electric isolation.
(FR)
La présente invention concerne un anneau métallique (2) et un capot métallique (3) prévus sur un substrat (1) ; l'anneau métallique (2) est fixé sur le substrat (1) par soudure. Le capot métallique (3) est soudé le long de l'anneau métallique (2). Une cavité de transmission (4) et une cavité de réception (5) sont soudées à l'exception d'une partie devant être une aération (10) et l'emplacement de l'aération est décalé de λg/4 du centre de la cavité, où λg correspond à la longueur d'onde de résonance par la taille de la cavité. En conséquence, un circuit intégré à micro-onde de faible résistance à l'humidité peut être monté, tout en assurant une isolation électrique.
(JA)
 基板1の上に金属製リング2と金属製カバー3を備え、金属製リング2は半田によって基板1に固定され、金属製カバー3は金属製リング2に沿って溶接されており、送信キャビティ4と受信キャビティ5の間は通気孔10となる一部を除いて溶接しており、その通気孔の位置は、キャビティサイズによる共振波長をλgとすると、λg/4だけキャビティ中心からずらして構成した。これにより、電気的アイソレーションを確保したまま、耐湿性の低いマイクロ波集積回路を実装可能とする。
Également publié en tant que
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