WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007108153) COMPOSITION DE POLISSAGE POUR GALETTE DE SILICIUM, KIT DE COMPOSITION DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM ET PROCEDE DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/108153    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/320750
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 18.10.2006
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : DuPont AirProducts NanoMaterials Limited Liability Company [US/US]; 2441 West Erie Drive, Tempe, Arizona 85282 (US) (Tous Sauf US).
IWATA, Naoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGASHIMA, Isao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IWATA, Naoyuki; (JP).
NAGASHIMA, Isao; (JP)
Mandataire : TANI, Yoshikazu; 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-071503 15.03.2006 JP
Titre (EN) POLISHING COMPOSITION FOR SILICON WAFER, COMPOSITION KIT FOR SILICON WAFER POLISHING, AND METHODS OF POLISHING SILICON WAFER
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE POUR GALETTE DE SILICIUM, KIT DE COMPOSITION DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM ET PROCEDE DE POLISSAGE DE GALETTE DE SILICIUM
(JA) シリコンウエハ用研磨組成物、シリコンウエハ研磨用組成物キットおよびシリコンウエハの研磨方法
Abrégé : front page image
(EN)A polishing composition with which a native oxide deposit on a silicon wafer can be removed and silicon polishing can be efficiently conducted. The polishing composition comprises colloidal ceria and optionally contains an alkaline polishing composition. This composition may further contain a chelating agent. Also provided are: a polishing method comprising the step of removing an oxide deposit with colloidal ceria; a polishing method comprising the step of removing an oxide deposit with colloidal ceria and the subsequent step of polishing the silicon wafer with an alkaline polishing composition; and a polishing method comprising the step of polishing a silicon wafer with a polishing composition comprising colloidal ceria and an alkaline polishing composition. Furthermore provided is a polishing composition kit comprising colloidal ceria and an alkaline polishing composition.
(FR)La présente invention concerne une composition de polissage grâce à laquelle un dépôt d'oxyde naissant sur une galette de silicium peut être éliminé et le polissage de silicium peut être réalisé de manière efficace. La composition de polissage comprend un oxyde de cérium colloïdal et contient éventuellement une composition de polissage alcaline. Cette composition peut en outre contenir un agent de chélation. On propose en outre : un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à éliminer un dépôt d'oxyde avec l'oxyde de cérium colloïdal ; un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à éliminer un dépôt d'oxyde avec l'oxyde de cérium colloïdal et l'étape suivante consistant à polir la galette de silicium avec une composition de polissage alcaline ; et un procédé de polissage comprenant l'étape consistant à polir une galette de silicium avec une composition de polissage comprenant l'oxyde de cérium colloïdal et une composition de polissage alcaline. La présente invention concerne également un kit de composition de polissage comprenant l'oxyde de cérium colloïdal et une composition de polissage alcaline.
(JA) 本発明はシリコンウエハの自然酸化膜を除去し、シリコンの研磨を効率よく行うことができる、研磨組成物を提供する。本発明の研磨組成物は、コロイダルセリアと、またはアルカリ性研磨組成物を含む。この組成物は、キレート剤をさらに含むことができる。本発明は、コロイダルセリアで酸化膜を除去する工程を含む研磨方法、コロイダルセリアで酸化膜を除去する工程と、引き続きアルカリ性研磨組成物でシリコンウエハを研磨する工程を含む研磨方法、並びに、コロイダルセリアとアルカリ性研磨組成物を含む研磨組成物でシリコンウエハを研磨する工程を含む研磨方法を包含する。さらに、本発明は、コロイダルセリアとアルカリ性研磨組成物を含む研磨用組成物キットに関する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)