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1. WO2007107176 - PROCÉDÉ POUR RÉDUIRE LE RISQUE DE DELAMINAGE D'UNE COUCHE D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2007/107176
Date de publication 27.09.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2006/004034
Date du dépôt international 17.03.2006
CIB
H01L 21/3105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
B24B 37/04 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
04conçus pour travailler les surfaces planes
B24D 99/00 2010.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
DOUTILS POUR MEULER, POLIR OU AFFILER
99Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
B24B 37/042
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
B24B 9/065
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
02characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
06of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
065of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/3105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
Déposants
  • FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • ST MICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • COOPER, Kevin [US]/[US] (UsOnly)
  • KORDIC, Srdjan [NL]/[FR] (UsOnly)
  • RIVOIRE, Maurice [FR]/[FR] (UsOnly)
Inventeurs
  • COOPER, Kevin
  • KORDIC, Srdjan
  • RIVOIRE, Maurice
Mandataires
  • WHARMBY, Martin, Angus
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF REDUCING RISK OF DELAMINATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR RÉDUIRE LE RISQUE DE DELAMINAGE D'UNE COUCHE D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
A method of minimizing de lamination of a layer (14, 16, or 18), the method includes providing a semiconductor substrate (12), forming a first layer (14) over the semiconductor substrate, wherein the first layer has a first corner (20) and the first corner has a first angle of approximately 90 degrees; forming a second layer (16) over the first layer, wherein the second layer has a second corner (20) and the second corner has a second angle of approximately 90 degrees, and modifying the first and second corners to form a first slanted edge (50, 60, or 70) of the first layer and a second slanted edge (50, 60, or 70) of the second layer, wherein the first slanted edge and the second slanted edge are continuous with each other and the first slanted edge forms a third angle with respect to the semiconductor substrate, wherein the third angle is less than 30 degrees.
(FR)
Procédé pour minimiser le délaminage d'une couche (14, 16 ou 18) comprenant les étapes consistant à utiliser un substrat semi-conducteur (12), former une première couche (14) sur le substrat semi-conducteur telle que la première couche a un premier coin (20) qui lui-même présente un premier angle d'environ 90 degrés; former une seconde couche (16) sur la première couche telle que la seconde couche a un second coin (20) qui lui-même présente un second angle d'environ 90 degrés, et modifier les premier et second coins pour former une première bordure inclinée (50, 60 ou 70) de la première couche et une seconde bordure inclinée (50, 60 ou 70) de la seconde couche telles que la première bordure inclinée et la seconde bordure inclinée sont en continuité l'une de l'autre et que la première bordure inclinée forme un troisième angle par rapport au substrat semi-conducteur, ledit troisième angle étant inférieur à 30 degrés.
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