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1. (WO2007106715) RÉTABLISSEMENT EN CAS DE SOUS-TENSION IMPORTANTE DANS UN BLOC BATTERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/106715    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/063602
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 08.03.2007
CIB :
H02J 7/04 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US).
SONY CORPORATION [JP/JP]; 6-7-35, Kitashingawa, Shingawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
SATO, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GANGSTOE, Gunnar [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
AAS, Arne [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
KASTNES, Paal, Ronny [NO/NO]; (NO) (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Hideyuki; (JP).
GANGSTOE, Gunnar; (NO).
AAS, Arne; (NO).
KASTNES, Paal, Ronny; (NO)
Mandataire : GOTTLIEB, Kirk, A.; Fish & Richardson P.C., P.O. Box 1022, Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Données relatives à la priorité :
11/373,843 10.03.2006 US
Titre (EN) DEEP UNDER VOLTAGE RECOVERY IN A BATTERY PACK
(FR) RÉTABLISSEMENT EN CAS DE SOUS-TENSION IMPORTANTE DANS UN BLOC BATTERIE
Abrégé : front page image
(EN)In one implementation, a method for charging a battery system is provided. The method includes enabling determining if a charger is coupled to a battery system, the battery system including one or more cells and a charge enable transistor. The method also includes enabling determining if a voltage level of the cells is less than a predetermined first low voltage level. If the voltage level of the cells is less than the predetermined first low voltage level, enabling charging of the cells at a reduced rate including adjusting a voltage applied to the charge transistor gate terminal to regulate a voltage seen by the charger to a level that is less than a predetermined second voltage level. Additionally, when the voltage of the cells reaches the predetermined first low voltage level, the method includes substantially fully enabling the charge transistor to allow for charging at full rate by the charger.
(FR)Un mode de réalisation décrit dans cette invention concerne un procédé permettant de charger un système de batteries. Le procédé susmentionné consiste à déterminer si un chargeur est couplé à un système de batteries, le système de batteries comprenant un ou plusieurs éléments et un transistor de charge. Le procédé décrit dans cette invention consiste également à déterminer si un niveau de tension des éléments est inférieur à un premier niveau de tension basse prédéterminé. Si le niveau de tension des éléments est inférieur au premier niveau de tension basse prédéterminé, à permettre la charge des éléments à une vitesse réduite, y compris à ajuster une tension appliquée à la borne de grille du transistor de charge afin de réguler une tension constatée par le chargeur à un niveau inférieur à un second niveau de tension prédéterminé. En outre, lorsque la tension des éléments atteint le premier niveau de tension basse prédéterminé, le procédé consiste à autoriser essentiellement sans contrainte le transistor de charge à permettre l'exécution de la charge à pleine vitesse par le chargeur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)