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1. WO2007105905 - STRUCTURE DE RÉSEAU DE PIXELS POUR UN CAPTEUR D'IMAGE CMOS ET PROCÉDÉ CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2007/105905
Date de publication 20.09.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2007/001241
Date du dépôt international 14.03.2007
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 27/14603
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
Déposants
  • SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • LEE, Do Young [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • LEE, Do Young
Mandataires
  • LEE, Cheol Hee
Données relatives à la priorité
10-2006-002368514.03.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) PIXEL ARRAY STRUCTURE FOR CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD OF THE SAME
(FR) STRUCTURE DE RÉSEAU DE PIXELS POUR UN CAPTEUR D'IMAGE CMOS ET PROCÉDÉ CORRESPONDANT
Abrégé
(EN)
Provided is a pixel array structure and of a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor and a method of arranging the same in which unit pixels are arranged diagonally to adjacent unit pixels in a row and column direction. For the arrangement, a pixel array in even rows is shifted to a half of a pitch in a column direction with respect to a pixel array in odd rows. Accordingly, in a pixel array implemented in a diagonal pattern, a distance between optical sensing elements can be larger, so that optical sensing elements with larger regions can be obtained. In addition, pixel transistor circuit units constructed with MOS transistors can be arranged between the optical sensing elements, so that a photo sensitivity and a resolution can be markedly increased.
(FR)
La présente invention concerne une structure de réseau de pixels et un capteur d'image à semi-conducteur complémentaire à l'oxyde métal (CMOS) ainsi qu'un procédé d'agencement de ce dernier dans lequel des pixels singuliers sont disposés en diagonale par rapport à des pixels singuliers adjacents dans le sens des colonnes et des rangées. Pour l'agencement, un réseau de pixels présent dans des rangées paires est décalé d'un demi-pas dans une colonne par rapport à un réseau de pixels présent dans des rangées impaires. Ainsi, dans un réseau de pixels agencé suivant une disposition en diagonale, une distance entre les éléments de détection optique peut être plus grande, de sorte que des élément de détection optique ayant des surfaces plus grandes puissent être obtenus. De plus, des unités de circuit de transistor de pixels construits avec des transistors MOS peuvent être placées entre les éléments de détection optique, de manière à accroître très fortement la photosensibilité et la résolution.
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