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1. (WO2007105905) STRUCTURE DE RÉSEAU DE PIXELS POUR UN CAPTEUR D'IMAGE CMOS ET PROCÉDÉ CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/105905    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/001241
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 14.03.2007
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F, Yewon Bldg., 75-1 Yangjae-dong, Seocho-gu, Seoul 137-130 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Do Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Do Young; (KR)
Mandataire : LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13 Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0023685 14.03.2006 KR
Titre (EN) PIXEL ARRAY STRUCTURE FOR CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD OF THE SAME
(FR) STRUCTURE DE RÉSEAU DE PIXELS POUR UN CAPTEUR D'IMAGE CMOS ET PROCÉDÉ CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a pixel array structure and of a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor and a method of arranging the same in which unit pixels are arranged diagonally to adjacent unit pixels in a row and column direction. For the arrangement, a pixel array in even rows is shifted to a half of a pitch in a column direction with respect to a pixel array in odd rows. Accordingly, in a pixel array implemented in a diagonal pattern, a distance between optical sensing elements can be larger, so that optical sensing elements with larger regions can be obtained. In addition, pixel transistor circuit units constructed with MOS transistors can be arranged between the optical sensing elements, so that a photo sensitivity and a resolution can be markedly increased.
(FR)La présente invention concerne une structure de réseau de pixels et un capteur d'image à semi-conducteur complémentaire à l'oxyde métal (CMOS) ainsi qu'un procédé d'agencement de ce dernier dans lequel des pixels singuliers sont disposés en diagonale par rapport à des pixels singuliers adjacents dans le sens des colonnes et des rangées. Pour l'agencement, un réseau de pixels présent dans des rangées paires est décalé d'un demi-pas dans une colonne par rapport à un réseau de pixels présent dans des rangées impaires. Ainsi, dans un réseau de pixels agencé suivant une disposition en diagonale, une distance entre les éléments de détection optique peut être plus grande, de sorte que des élément de détection optique ayant des surfaces plus grandes puissent être obtenus. De plus, des unités de circuit de transistor de pixels construits avec des transistors MOS peuvent être placées entre les éléments de détection optique, de manière à accroître très fortement la photosensibilité et la résolution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)