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1. WO2007105859 - POLYMÈRES D'ORGANOSILANE, COMPOSITIONS DE MASQUE DUR COMPRENANT CES POLYMÈRES ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN DE COMPOSITIONS DE MASQUE DUR D'ORGANOSILANE

Numéro de publication WO/2007/105859
Date de publication 20.09.2007
N° de la demande internationale PCT/KR2007/000003
Date du dépôt international 15.01.2007
CIB
C08G 77/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
C08G 77/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
02Polysilicates
C08G 77/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
04Polysiloxanes
06Procédés de préparation
08caractérisés par les catalyseurs utilisés
C08G 77/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
04Polysiloxanes
06Procédés de préparation
CPC
C08G 77/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
77Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
04Polysiloxanes
20containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
G03F 7/0752
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
075Silicon-containing compounds
0752in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
G03F 7/091
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
091characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
H01L 21/31144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31144using masks
H01L 21/3121
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
312Organic layers, e.g. photoresist
3121Layers comprising organo-silicon compounds
Déposants
  • CHEIL INDUSTRIES INC. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • YOON, Hui Chan [KR]/[KR] (UsOnly)
  • KIM, Sang Kyun [KR]/[KR] (UsOnly)
  • LIM, Sang Hak [KR]/[KR] (UsOnly)
  • UH, Dong Sun [KR]/[KR] (UsOnly)
  • KIM, Jong Seob [KR]/[KR] (UsOnly)
  • LEE, Jin Kuk [KR]/[KR] (UsOnly)
  • OH, Chang Il [KR]/[KR] (UsOnly)
  • KIM, Min Soo [KR]/[KR] (UsOnly)
  • YOON, Kyong Ho [KR]/[KR] (UsOnly)
  • NAM, Irina [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • YOON, Hui Chan
  • KIM, Sang Kyun
  • LIM, Sang Hak
  • UH, Dong Sun
  • KIM, Jong Seob
  • LEE, Jin Kuk
  • OH, Chang Il
  • KIM, Min Soo
  • YOON, Kyong Ho
  • NAM, Irina
Mandataires
  • PARK, Yong Soon
Données relatives à la priorité
10-2006-002294713.03.2006KR
10-2006-002592222.03.2006KR
10-2006-002619422.03.2006KR
10-2006-002620422.03.2006KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ORGANOSILANE POLYMERS, HARDMASK COMPOSITIONS INCLUDING THE SAME AND METHODS OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES USING ORGANOSILANE HARDMASK COMPOSITIONS
(FR) POLYMÈRES D'ORGANOSILANE, COMPOSITIONS DE MASQUE DUR COMPRENANT CES POLYMÈRES ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN DE COMPOSITIONS DE MASQUE DUR D'ORGANOSILANE
Abrégé
(EN)
Provided herein, according to some embodiments of the invention, are organosilane polymers prepared by reacting organosilane compounds including (a) at least one compound of Formula (I) Si(OR1)(OR2)(OR3)R4 wherein R1, R2 and R3 may each independently be an alkyl group, and R4 may be -(CH2)nR5, wherein R5 may be an aryl or a substituted aryl, and n may be O or a positive integer; and (b) at least one compound of Formula (II) Si(OR6)(OR7)(OR8)R9 wherein R6, R7 and R8 may each independently an alkyl group or an aryl group; and R9 may be an alkyl group. Also provided are hardmask compositions including an organosilane compound according to an embodiment of the invention, or a hydrolysis product thereof. Methods of producing semiconductor devices using a hardmask compostion according to an embodiment of the invention, and semiconductor devices produced therefrom, are also provided.
(FR)
Dans certains modes de réalisation, l'invention concerne des polymères d'organosilane préparés par réaction de composés organosilanes comprenant (1) au moins un composé de formule (I), Si(OR1)(OR2)(OR3)R4, dans laquelle R1, R2 et R3 peuvent être chacun indépendamment un groupe alkyle et R4 peut être -(CH2)nR5, où R5 peut être aryle ou aryle substitué, et n peut être 0 ou un nombre entier positif, et (b) au moins un composé de formule (II), Si(OR6)(OR7)(OR8)R9, dans laquelle R6, R7 et R8 peuvent être chacun indépendamment un groupe alkyle ou un groupe aryle et R9 peut être un groupe alkyle. Dans un mode de réalisation, l'invention concerne également des compositions de masque dur comprenant un composé organosilane ou un produit d'hydrolyse correspondant. Dans un mode de réalisation supplémentaire, l'invention concerne des procédés de production de dispositifs à semi-conducteur au moyen d'une composition de masque dur ainsi que des dispositifs à semi-conducteur produits selon ces procédés.
Également publié en tant que
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