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1. WO2007105431 - APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2007/105431
Date de publication 20.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/053151
Date du dépôt international 21.02.2007
CIB
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C23C 16/46 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
46caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
CPC
C23C 16/46
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
46characterised by the method used for heating the substrate
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
Déposants
  • 株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 上野 正昭 UENO, Masaaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 島田 真一 SHIMADA, Masakazu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 花島 建夫 HANASHIMA, Takeo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 森川 晴夫 MORIKAWA, Haruo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 林田 晃 HAYASHIDA, Akira [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 上野 正昭 UENO, Masaaki
  • 島田 真一 SHIMADA, Masakazu
  • 花島 建夫 HANASHIMA, Takeo
  • 森川 晴夫 MORIKAWA, Haruo
  • 林田 晃 HAYASHIDA, Akira
Mandataires
  • 特許業務法人 アイ・ピー・エス PATENT RELATED CORPORATION IPS
Données relatives à la priorité
2006-06131807.03.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
Abrégé
(EN)
A substrate processing apparatus is provided with a process chamber for processing a substrate; a heating apparatus for optically heating the substrate stored in the process chamber from the outer circumference side of the substrate; a cooling apparatus for cooling the outer circumference side of the substrate by flowing a fluid in the vicinity of the outer circumference of the substrate to be optically heated by the heating apparatus; a temperature detecting section for detecting the temperature in the processing chamber; and a heating control section for controlling the heating apparatus and the cooling apparatus to have a temperature difference between the center portion and the end portion of the substrate by maintaining the temperature at the center portion of the substrate at a prescribed temperature, based on the temperature detected by the temperature detecting section.
(FR)
L'invention concerne un appareil de traitement de substrat avec une chambre de traitement pour traiter un substrat, un appareil de chauffage pour chauffer optiquement le substrat stocké dans la chambre de traitement depuis le bord de la circonférence externe du substrat, un appareil de refroidissement pour refroidir le bord de la circonférence externe du substrat par écoulement d'un fluide à proximité du bord de la circonférence externe du substrat à chauffer optiquement par l'appareil de chauffage, une section de détection de température pour détecter la température dans la chambre de traitement, et une section de commande de chauffage pour commander l'appareil de chauffage et l'appareil de refroidissement afin d'obtenir une différence de température entre la partie centrale et la portion d'extrémité du substrat, en maintenant la température de la partie centrale du substrat à une température prescrite, fonction de la température détectée par la section de détection de température.
(JA)
 基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記処理室内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記基板の中心部の温度を所定温度に維持しつつ該中心部と前記基板の端部とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する加熱制御部とを有する基板処理装置。
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