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1. WO2007104336 - DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATILE ET RÉFÉRENCE DE TENSION PROGRAMMABLE POUR DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATILE

Numéro de publication WO/2007/104336
Date de publication 20.09.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2006/002407
Date du dépôt international 16.03.2006
CIB
G11C 16/30 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
30Circuits d'alimentation
G11C 5/14 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
5Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
14Dispositions pour l'alimentation
CPC
G11C 16/0425
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0408comprising cells containing floating gate transistors
0425comprising cells containing a merged floating gate and select transistor
G11C 16/30
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30Power supply circuits
G11C 2211/5634
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2211Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
563Multilevel memory reading aspects
5634Reference cells
G11C 5/147
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
5Details of stores covered by G11C11/00
14Power supply arrangements
147Voltage reference generators, voltage and current regulators
Déposants
  • FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • BODE, Hubert, M. [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • BODE, Hubert, M.
Mandataires
  • FERRO, Frodo, Nunes
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAMMABLE VOLTAGE REFERENCE FOR A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATILE ET RÉFÉRENCE DE TENSION PROGRAMMABLE POUR DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé
(EN)
A non-volatile memory device includes a voltage reference generator comprising a programmable voltage reference (250) for generating a voltage signal having a programmable voltage level. In an embodiment, the programmable voltage reference (250) provides the voltage signals for a wordline driver and/or a bitline current generator of the non-volatile memory device. The programmable voltage reference (250) may comprise a Digital-to-Analog converter (250) coupled between first (605) and second (610) supply voltages. A programmable current reference (250) is also disclosed.
(FR)
L'invention décrit un dispositif à mémoire non volatile comprenant un générateur de référence de tension qui comporte une référence de tension programmable (250) permettant de produire un signal de tension présentant un niveau de tension programmable. Dans un mode de réalisation, la référence de tension programmable (250) fournit les signaux de tension à un circuit d'attaque de ligne de mot et/ou un générateur de courant de ligne binaire du dispositif à mémoire non volatile. La référence de tension programmable (250) peut comprendre un convertisseur numérique-analogique (250) couplé entre des première (605) et seconde (610) tensions d'alimentation. L'invention décrit en outre une référence de courant programmable (250).
Également publié en tant que
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