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1. WO2007103643 - PROCÉDÉ ET APPAREIL PERMETTANT D'EFFECTUER UN TRAITEMENT THERMIQUE DE STRUCTURES FORMÉES SUR UN SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2007/103643
Date de publication 13.09.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/062672
Date du dépôt international 23.02.2007
CIB
H01L 21/76 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
CPC
H01L 21/823418
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823418with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures
H01L 21/823425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823418with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures
823425manufacturing common source or drain regions between a plurality of conductor-insulator-semiconductor structures
H01L 21/823475
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
823475interconnection or wiring or contact manufacturing related aspects
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • MAYUR, Abhilash [US]/[US] (UsOnly)
  • YAM, Mark [US]/[US] (UsOnly)
  • BALAKRISHNA, Ajit [IN]/[US] (UsOnly)
  • CAREY, Paul [US]/[US] (UsOnly)
  • JENNINGS, Dean [US]/[US] (UsOnly)
  • MOFFATT, Stephen [GB]/[GB] (UsOnly)
  • SCHAFFER, William [US]/[US] (UsOnly)
  • LERNER, Alexander, N. [US]/[US] (UsOnly)
  • THOMAS, Timothy, N. [US]/[US] (UsOnly)
  • HUNTER, Aaron, Muir [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • MAYUR, Abhilash
  • YAM, Mark
  • BALAKRISHNA, Ajit
  • CAREY, Paul
  • JENNINGS, Dean
  • MOFFATT, Stephen
  • SCHAFFER, William
  • LERNER, Alexander, N.
  • THOMAS, Timothy, N.
  • HUNTER, Aaron, Muir
Mandataires
  • PATTERSON, B., Todd
Données relatives à la priorité
11/459,84725.07.2006US
11/459,85225.07.2006US
11/459,85625.07.2006US
60/780,74508.03.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR THERMAL PROCESSING STRUCTURES FORMED ON A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL PERMETTANT D'EFFECTUER UN TRAITEMENT THERMIQUE DE STRUCTURES FORMÉES SUR UN SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
The present invention generally describes one ore more apparatuses and various methods that are used to perform an annealing process on desired regions of a substrate. In one embodiment, an amount of energy is delivered to the surface of the substrate to preferentially melt certain desired regions of the substrate to remove unwanted damage created from prior processing steps, more evenly distribute dopants in various regions of the substrate, and/or activate various regions of the substrate. The preferential melting processes will allow more uniform distribution of the dopants in the melted region, due to the increased diffusion rate and solubility of the dopant atoms in the molten region of the substrate. The creation of a melted region thus allows: 1) the dopant atoms to redistribute more uniformly, 2) defects created in prior processing steps to be removed, and 3) regions that have hyper-abrupt dopant concentrations to be formed.
(FR)
L'invention concerne un ou plusieurs appareils et divers procédés servant à exécuter un traitement de recuit sur des régions désirées d'un substrat. Un mode de réalisation consiste à appliquer une quantité d'énergie sur la surface du substrat, afin de faire fondre de manière préférentielle certaines régions désirées du substrat et d'éliminer ainsi la dégradation indésirable issue des étapes précédentes du traitement, de répartir plus uniformément les dopants dans diverses régions du substrat et/ou d'activer diverses régions du substrat. Les processus de fusion préférés permettent une répartition plus uniforme des dopants dans la région en fusion, grâce à une augmentation de la vitesse de diffusion et de la solubilité des atomes de dopant dans la région en fusion du substrat. La formation d'une région en fusion permet ainsi : (1) de procéder à une nouvelle répartition plus uniforme des atomes de dopant; (2) d'éliminer les défauts créés au cours des étapes précédentes du traitement; et (3) de former des régions présentant des concentrations de dopant présentant une jonction hyper-abrupte.
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