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1. (WO2007102430) DETECTEUR MONOPHOTONIQUE A BANDE DE LONGUEUR D'ONDE DE COMMUNICATION OPTIQUE A GRANDE VITESSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/102430    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/054060
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 02.03.2007
CIB :
H01L 31/107 (2006.01)
Déposants : NIHON UNIVERSITY [JP/JP]; 8-24 Kudan-minami 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1028275 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Shuichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAMEKATA, Naoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAMORI, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Shuichiro; (JP).
NAMEKATA, Naoto; (JP).
SASAMORI, Shinji; (JP)
Mandataire : YEN, Masaaki; Entech Patent Firm, 2-41-305, Hyakunincho 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1690073 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-059505 06.03.2006 JP
Titre (EN) OPTICAL COMMUNICATION WAVELENGTH BAND HIGH SPEED SINGLE PHOTON DETECTOR
(FR) DETECTEUR MONOPHOTONIQUE A BANDE DE LONGUEUR D'ONDE DE COMMUNICATION OPTIQUE A GRANDE VITESSE
(JA) 光通信波長帯高速単一光子検出器
Abrégé : front page image
(EN)A single photon detector is operated at a high speed in an optical communication wavelength band. A DC bias voltage (2) lower than the breakdown voltage is applied to an InGaAs/InP avalanche photodiode (APD) (1). A sine wave gate signal (3) having a frequency of 500 MHz is superposed on the DC bias voltage (2) and applied to the APD (1) such that the breakdown voltage is exceeded by about 4V in a part of one period. The sine wave gate signal (3) passed through the APD (1) is removed by means of a filter (4). S/N is improved because the gate signal (3) mixed into a detection signal (5) can be removed substantially completely, and a single photon can be detected even if the avalanche multiplcation time is shortened. Consequently, after pulse can be reduced and detection period can be shortened. A single photon in the communication wavelength band of 1550 nm can thereby be detected at high speed.
(FR)La présente invention concerne un détecteur monophotonique fonctionnant à grande vitesse dans une bande de longueur d'onde de communication optique. Une tension de polarisation continue (2) inférieure à la tension de claquage est appliquée à une photodiode à avalanche InGaAs/InP (1). Un signal de gâchette sinusoïdal (3) ayant une fréquence de 500 MHz est superposé à la tension de polarisation continue (2) et appliqué à la photodiode à avalanche (1) afin de dépasser la tension de claquage d'environ 4 V dans une partie d'une période. Le signal de gâchette sinusoïdal (3) transmis à la photodiode (1) est supprimé au moyen d'un filtre (4). Le rapport signal/bruit est amélioré, car le signal de gâchette (3) combiné à un signal de détection (5) peut être supprimé sensiblement dans sa totalité, et il est possible de détecter un photon unique même en cas de durée d'avalanche courte. En conséquence, la post-impulsion peut être réduite et la période de détection raccourcie. Il est donc possible de détecter un photon unique dans la bande de longueur d'onde de communication de 1550 nm à grande vitesse.
(JA) 光通信波長帯で、単一光子検出器を高速に動作させることを目的とする。InGaAs/InPアバランシェフォトダイオード(APD)1に、降伏電圧より低い直流バイアス電圧2をかける。周波数500MHzの正弦波のゲート信号3を直流バイアス電圧2に重ねて、1周期の一部で降伏電圧を4V程度超えるように、APD1に加える。APD1を通過した正弦波のゲート信号3をフィルター4で取り除く。検出信号5へのゲート信号3の混入をほぼ完全に取り除けるのでS/Nがよくなり、なだれ増倍時間を短くしても単一光子を検出できる。したがって、アフターパルスを低減でき、検出周期を短くできる。このようにして、波長1550nmの通信波長帯の単一光子を高速に検出できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)