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1. WO2007102287 - PATE CONDUCTRICE ET CELLULE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2007/102287
Date de publication 13.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/051769
Date du dépôt international 02.02.2007
CIB
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
H01L 21/288 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
CPC
C03C 14/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
14Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
006the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
C03C 2214/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2214Nature of the non-vitreous component
08Metals
C03C 2214/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2214Nature of the non-vitreous component
16Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
C03C 8/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
8Enamels; Glazes
14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
18containing free metals
H01B 1/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
22the conductive material comprising metals or alloys
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
Déposants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 川口 義博 KAWAGUCHI, Yoshihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 川口 義博 KAWAGUCHI, Yoshihiro
Mandataires
  • 宮▲崎▼ 主税 MIYAZAKI, Chikara
Données relatives à la priorité
2006-06053107.03.2006JP
2006-23552431.08.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CONDUCTIVE PASTE AND SOLAR CELL
(FR) PATE CONDUCTRICE ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 導電性ペースト及び太陽電池
Abrégé
(EN)
Disclosed is a conductive paste which enables to form an electrode by being fired at a relatively low temperature. This conductive paste also enables to obtain excellent adhesion strength between a light-receiving surface electrode and a semiconductor substrate, while sufficiently reducing the contact resistance between them. Specifically disclosed is a conductive paste used as a material for a light-receiving surface electrode of solar cells, which contains an Ag powder, an organic vehicle and a glass frit. The glass frit has a softening point of not less than 570˚C but not more than 760˚C, and contains B2O3 and SiO2 at a molar ratio B2O3/SiO2 of not more than 0.3. In addition, the glass frit contains Bi2O3 in an amount of from 0 to less than 20.0 mol%.
(FR)
La présente invention concerne une pâte conductrice qui permet la formation d'une électrode en étant brûlée à une température relativement basse. Cette pâte conductrice permet également d'obtenir une excellente force d'adhérence entre une électrode à surface de réception légère et un substrat semiconducteur, tout en réduisant suffisamment la résistance de contact entre ceux-ci. L'invention concerne en particulier une pâte conductrice utilisée en tant que matériau pour une électrode à surface de réception légère de cellules solaires qui contient une poudre d'Ag, un excipient organique et une poudre de verre. La poudre de verre présente un point de ramollissement d'au moins 570 °C mais ne dépassant pas 760 °C, et elle contient du B2O3 et du SiO2 à un rapport molaire B2O3/SiO2 ne dépassant pas 0,3. De plus, la poudre de verre contient du Bi2O3 en une teneur allant de 0 à moins de 20,0 mol%.
(JA)
 比較的低い温度で焼成して電極を形成することができ、しかも受光面電極と半導体基板との接着強度に優れ、かつ両者の間の接触抵抗を十分に低くすることが可能な導電性ペーストを提供する。  太陽電池の受光面電極用材料として用いられる導電性ペーストであって、Ag粉末と有機ビヒクルとガラスフリットとを含有しており、前記ガラスフリットの軟化点が570°C以上、760°C以下であり、該ガラスフリットが、モル比でB/SiOが0.3以下の割合となるようにB及びSiOを含有し、かつBiを0~20.0mol%未満含有している導電性ペースト。
Également publié en tant que
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