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1. WO2007102239 - CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2007/102239
Date de publication 13.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2006/319533
Date du dépôt international 29.09.2006
CIB
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 21/82 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
H01L 27/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
CPC
G09G 2310/0289
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
2310Command of the display device
02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
0264Details of driving circuits
0289Details of voltage level shifters arranged for use in a driving circuit
G09G 2330/04
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
2330Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
04Display protection
G09G 3/296
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
20for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix ; no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
22using controlled light sources
28using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels
288using AC panels
296Driving circuits for producing the waveforms applied to the driving electrodes
H01L 2224/05554
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
0554External layer
0555Shape
05552in top view
05554being square
H01L 24/05
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
H01L 27/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
Déposants
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 松永 弘樹 MATSUNAGA, Hiroki (UsOnly)
  • 笹田 昌彦 SASADA, Masahiko (UsOnly)
  • 前島 明広 MAEJIMA, Akihiro (UsOnly)
  • 金田 甚作 KANEDA, Jinsaku (UsOnly)
  • 安藤 仁 ANDO, Hiroshi (UsOnly)
Inventeurs
  • 松永 弘樹 MATSUNAGA, Hiroki
  • 笹田 昌彦 SASADA, Masahiko
  • 前島 明広 MAEJIMA, Akihiro
  • 金田 甚作 KANEDA, Jinsaku
  • 安藤 仁 ANDO, Hiroshi
Mandataires
  • 前田 弘 MAEDA, Hiroshi
Données relatives à la priorité
2006-05911206.03.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路
Abrégé
(EN)
A semiconductor integrated circuit comprises circuit cells each having a pad on a semiconductor chip. Each circuit cell is composed of a high-side transistor, a level shift circuit, a low-side transistor, a pre-driver, and a pad. The high- and low-side transistors are opposed, with a pad interposed therebetween.
(FR)
Circuit intégré à semi-conducteur comprenant des cellules de circuit ayant chacune une pastille de contact sur une plaquette de semi-conducteur. Chaque cellule de circuit est composée d'un transistor côté haute tension, d'un circuit de décalage de niveau, d'un transistor côté basse tension, d'un pré-étage de commande et d'une pastille. Les transistors côté haute tension et côté basse tension sont disposés de part et d'autre de la pastille.
(JA)
 半導体集積回路は、半導体チップ上に、各々がパッドを有する複数の回路セルを備え、回路セルは、ハイサイドトランジスタ、レベルシフト回路、ローサイドトランジスタ、プリドライバと、パッドとを備える。ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタとは、パッドを介して対向するように配置されている。
Également publié en tant que
EP2006810912
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