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1. (WO2007102239) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/102239    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/319533
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 29.09.2006
CIB :
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUNAGA, Hiroki; (US Seulement).
SASADA, Masahiko; (US Seulement).
MAEJIMA, Akihiro; (US Seulement).
KANEDA, Jinsaku; (US Seulement).
ANDO, Hiroshi; (US Seulement)
Inventeurs : MATSUNAGA, Hiroki; .
SASADA, Masahiko; .
MAEJIMA, Akihiro; .
KANEDA, Jinsaku; .
ANDO, Hiroshi;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-059112 06.03.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor integrated circuit comprises circuit cells each having a pad on a semiconductor chip. Each circuit cell is composed of a high-side transistor, a level shift circuit, a low-side transistor, a pre-driver, and a pad. The high- and low-side transistors are opposed, with a pad interposed therebetween.
(FR)Circuit intégré à semi-conducteur comprenant des cellules de circuit ayant chacune une pastille de contact sur une plaquette de semi-conducteur. Chaque cellule de circuit est composée d'un transistor côté haute tension, d'un circuit de décalage de niveau, d'un transistor côté basse tension, d'un pré-étage de commande et d'une pastille. Les transistors côté haute tension et côté basse tension sont disposés de part et d'autre de la pastille.
(JA) 半導体集積回路は、半導体チップ上に、各々がパッドを有する複数の回路セルを備え、回路セルは、ハイサイドトランジスタ、レベルシフト回路、ローサイドトランジスタ、プリドライバと、パッドとを備える。ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタとは、パッドを介して対向するように配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)