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1. WO2007102051 - DISPOSITIFS OPTIQUES À POINTS QUANTIQUES PRÉSENTANT UN GAIN ET UNE SENSIBILITÉ AMÉLIORÉS, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DESDITS DISPOSITIFS

Numéro de publication WO/2007/102051
Date de publication 13.09.2007
N° de la demande internationale PCT/IB2006/004160
Date du dépôt international 24.08.2006
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 21/02422
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02422Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
H01L 21/02521
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
H01L 21/02601
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02587Structure
0259Microstructure
02601Nanoparticles
H01L 21/02628
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02623Liquid deposition
02628using solutions
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 27/14634
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14634Assemblies, i.e. Hybrid structures
Déposants
  • SARGENT, Edward [CA]/[CA]
  • CLIFFORD, Jason [CA]/[CA] (UsOnly)
  • KONSTANTATOS, Gerasimos [GR]/[CA] (UsOnly)
  • HOWARD, Ian [CA]/[CA] (UsOnly)
  • KLEM, Ethan, J., D. [CA]/[CA] (UsOnly)
  • LEVINA, Larissa [CA]/[CA] (UsOnly)
Inventeurs
  • SARGENT, Edward
  • CLIFFORD, Jason
  • KONSTANTATOS, Gerasimos
  • HOWARD, Ian
  • KLEM, Ethan, J., D.
  • LEVINA, Larissa
Mandataires
  • Potter, Julian, Mark
Données relatives à la priorité
11/327,65509.01.2006US
60/710,94425.08.2005US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) QUANTUM DOT OPTICAL DEVICES WITH ENHANCED GAIN AND SENSITIVITY AND METHODS OF MAKING SAME
(FR) DISPOSITIFS OPTIQUES À POINTS QUANTIQUES PRÉSENTANT UN GAIN ET UNE SENSIBILITÉ AMÉLIORÉS, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DESDITS DISPOSITIFS
Abrégé
(EN)
Optical and optoelectronic devices and methods of making same. Under one aspect, an optical device includes an integrated circuit an array of conductive regions; and an optically sensitive material over at least a portion of the integrated circuit and in electrical communication with at least one conductive region of the array of conductive regions. Under another aspect, a method of forming a nanocrystalline film includes fabricating a plurality of nanocrystals having a plurality of first ligands attached to their outer surfaces; exchanging the first ligands for second ligands of different chemical composition than the first ligands; forming a film of the ligand- exchanged nanocrystals; removing the second ligands; and fusing the cores of adjacent nanocrystals in the film to form an electrical network of fused nanocrystals. Under another aspect, a film includes a network of fused nanocrystals, the nanocrystals having a core and an outer surface, wherein the core of at least a portion of the fused nanocrystals is in direct physical contact and electrical communication with the core of at least one adjacent fused nanocrystal, and wherein the film has substantially no defect states in the regions where the cores of the nanocrystals are fused.
(FR)
L'invention concerne des dispositifs optiques et opto-électroniques et des procédés de fabrication desdits dispositifs. Dans un aspect, un dispositif optique comprend un circuit intégré présentant un réseau de régions conductrices; et un matériau optiquement sensible disposé sur au moins une partie du circuit intégré et en communication électrique avec au moins une région conductrice du réseau de régions conductrices. Dans un autre aspect, un procédé de formation d'un film nanocristallin consiste à: fabriquer une pluralité de nanocristaux à la surface extérieure desquels est fixée une pluralité de premiers ligands; remplacer les premiers ligands par de seconds ligands dont la composition chimique est différente de celle des premiers ligands; former un film des nanocristaux dont les ligands ont été remplacés; enlever les seconds ligands; et fondre les noyaux de nanocristaux adjacents dans le film afin de former un réseau électrique de nanocristaux fondus. Dans un autre aspect, un film comprend un réseau de nanocristaux fondus, les nanocristaux fondus présentant un noyau et une surface extérieure. Le noyau d'au moins une partie des nanocristaux fondus est en contact physique direct et en communication électrique avec le noyau d'au moins un nanocristal fondu adjacent. Le film ne présente sensiblement aucun état défectueux dans les régions où les noyaux des nanocristaux sont fondus.
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