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1. WO2007101394 - LASER À SEMI-CONDUCTEUR À RÉTROACTION RÉPARTIE CONÇU SUR LA BASE DE L'ALGORITHME DE RECONSTRUCTION ET DE LA TECHNOLOGIE DE COMPRESSION D'IMPULSIONS ÉQUIVALENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2007/101394
Date de publication 13.09.2007
N° de la demande internationale PCT/CN2007/000601
Date du dépôt international 25.02.2007
CIB
H01S 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
12le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie
H01S 5/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
H01S 5/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
22ayant une structure à nervures ou à bandes
G02B 6/124 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10du type guide d'ondes optiques
12du genre à circuit intégré
122Elements optiques de base, p.ex. voies de guidage de la lumière
124Lentilles géodésiques ou réseaux intégrés
H04J 14/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
JCOMMUNICATION MULTIPLEX
14Systèmes multiplex optiques
02Systèmes multiplex à division de longueur d'onde
CPC
G02B 6/124
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
124Geodesic lenses or integrated gratings
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Déposants
  • 南京大学 NANJING UNIVERSITY [CN]/[CN] (AllExceptUS)
  • 陈向飞 CHEN, Xiangfei [CN]/[CN] (UsOnly)
Inventeurs
  • 陈向飞 CHEN, Xiangfei
Mandataires
  • 南京天华专利代理有限责任公司 NANJING TIANHUA PATENT AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
200610038728.909.03.2006CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) A DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER BASED ON RECONSTRUCTION ALGORITHM AND EQUIVALENT CHIRP TECHNOLOGY AND THE MANUFACTURE METHOD OF THE SAME
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR À RÉTROACTION RÉPARTIE CONÇU SUR LA BASE DE L'ALGORITHME DE RECONSTRUCTION ET DE LA TECHNOLOGIE DE COMPRESSION D'IMPULSIONS ÉQUIVALENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(ZH) 基于重构-等效啁啾技术的半导体激光器及制备方法
Abrégé
(EN)
A distributed feedback (DFB) semiconductor laser based on reconstruction algorithm and equivalent chirp technology and the manufacture method of the same. The method is to use sampled Bragg grating structure, that is, the grating in the DFB semiconductor laser is a sampled Bragg grating. The sampled Bragg grating comprises an equivalent grating corresponding to a common Bragg grating, and the oscillation wavelength of the DFB semiconductor laser is in the working bandwidth of the equivalent grating. The equivalent grating is designed and prepared by use of the reconstruction algorithm and equivalent chirp technology. The sampled Bragg grating has a plurality of ghost gratings, the wavelength space between the ghost gratings is inversely proportional to the sampling period and the effective reflectivity of the DFB semiconductor laser.
(FR)
Cette invention concerne un laser à semi-conducteur à rétroaction répartie (DFB) conçu sur la base de l'algorithme de reconstruction et de la technologie de compression d'impulsions équivalente ainsi que le procédé de fabrication correspondant. Ce procédé consiste à utiliser une structure de réseau de Bragg échantillonné. Autrement dit, le réseau du laser à semi-conducteur à rétroaction répartie est un réseau de Bragg échantillonné. Le réseau de Bragg échantillonné comprend un réseau équivalent correspondant à un réseau de Bragg commun, la longueur d'onde d'oscillation du laser à semi-conducteur à rétroaction répartie étant comprise dans la largeur de bande de fonctionnement du réseau équivalent. Le réseau équivalent est conçu et préparé au moyen de l'algorithme de reconstruction et de la technologie de compression d'impulsions équivalente. Le réseau de Bragg échantillonné comporte une pluralité de réseaux fantômes, l'écart de longueur d'onde entre les réseaux fantômes étant inversement proportionnel à la durée d'échantillonnage et à la réflectivité effective du laser à semi-conducteur à rétroaction répartie.
Également publié en tant que
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