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1. WO2007101135 - impression à haut rendement de couche précurseur semi-conductrice à partir de particules de microflocons intermétalliques

Numéro de publication WO/2007/101135
Date de publication 07.09.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/062763
Date du dépôt international 23.02.2007
CIB
H01L 31/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
CPC
H01L 31/0322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
H01L 31/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
H01L 31/0749
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0749including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
541CuInSe2 material PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Déposants
  • VAN DUREN, Jeroen, K., J. [NL]/[US]
  • ROBINSON, Matthew, R. [US]/[US]
  • LEIDHOLM, Craig, R. [US]/[US]
Inventeurs
  • VAN DUREN, Jeroen, K., J.
  • ROBINSON, Matthew, R.
  • LEIDHOLM, Craig, R.
Mandataires
  • TUNG, Hao, Y.
Données relatives à la priorité
11/361,43323.02.2006US
11/361,49723.02.2006US
11/361,49823.02.2006US
11/361,51523.02.2006US
11/361,52123.02.2006US
11/361,52223.02.2006US
11/361,68823.02.2006US
11/362,26623.02.2006US
11/394,84930.03.2006US
11/395,42630.03.2006US
11/395,43830.03.2006US
11/395,66830.03.2006US
11/396,19930.03.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH-THROUGHPUT PRINTING OF SEMICONDUCTOR PRECURSOR LAYER FROM INTER-METALLIC MICROFLAKE PARTICLES
(FR) impression à haut rendement de couche précurseur semi-conductrice à partir de particules de microflocons intermétalliques
Abrégé
(EN)
Methods and devices are provided for high-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles. In one embodiment, the method comprises of transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after settling. In particular, planar particles disperse more easily, form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be microflakes that have a' high aspect ratio. The resulting dense film formed from microflakes is particularly useful in forming photovoltaic devices. In one embodiment, at least one set of the particles in the ink may be inter-metallic flake particles (microflake or nanoflake) containing at least one group IB-IIIA inter-metallic alloy phase.
(FR)
L'invention concerne des procédés et dispositifs pour l'impression à haut rendement d'une couche précurseur semi-conductrice à partir de particules de microflocons. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à transformer des matériaux précurseurs plans ou non plans dans un véhicule approprié dans les conditions voulues pour créer des dispersions de particules planes avec des rapports stœchiométriques d'éléments égaux à celui de la charge de départ ou des matériaux précurseurs, même après sédimentation. En particulier, les particules planes se dispersent plus facilement, forment des revêtements beaucoup plus denses (ou forment des revêtements avec une zone de contact interparticulaire accrue), et se recuisent en films fondus, denses à une température plus basse et/ou en un temps plus court que leurs homologues réalisés à partir de nanoparticules sphériques. Ces particules planes peuvent être des microflocons d'un rapport d'allongement élevé. Le film dense résultant formé de microflocons est particulièrement utile dans la formation de dispositifs photovoltaïques. Selon un mode de réalisation, au moins un ensemble des particules d'encre peut être des particules de flocons intermétalliques (microflocon ou nanoflocon) contenant au moins une phase d'alliage intermétallique de groupe IB-IIIA.
Également publié en tant que
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