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1. WO2007099973 - ELEMENT DE DETECTION DE FAISCEAU ET DETECTEUR DE FAISCEAU L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2007/099973
Date de publication 07.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/053684
Date du dépôt international 27.02.2007
CIB
C09K 11/65 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08contenant des substances inorganiques luminescentes
65contenant du carbone
C01B 31/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
31Carbone; Ses composés
02Préparation du carbone; Purification
06Diamant
C09K 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
C23C 16/27 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
26Dépôt uniquement de carbone
27Le diamant uniquement
G01T 1/202 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
TMESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16Mesure de l'intensité de radiation
20avec des détecteurs à scintillation
202le détecteur étant du cristal
G01T 1/29 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
TMESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
29Mesure effectuée sur des faisceaux de radiations, p.ex. sur la position ou la section du faisceau; Mesure de la distribution spatiale de radiations
CPC
C23C 16/0254
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
02Pretreatment of the material to be coated
0254Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
C23C 16/274
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
26Deposition of carbon only
27Diamond only
274using microwave discharges
C23C 16/277
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
26Deposition of carbon only
27Diamond only
277using other elements in the gas phase besides carbon and hydrogen; using other elements besides carbon, hydrogen and oxygen in case of use of combustion torches; using other elements besides carbon, hydrogen and inert gas in case of use of plasma jets
G01T 1/29
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
29Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
Déposants
  • 株式会社神戸製鋼所 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 小橋 宏司 KOBASHI, Koji (UsOnly)
  • 橘 武史 TACHIBANA, Takeshi (UsOnly)
  • 横田 嘉宏 YOKOTA, Yoshihiro (UsOnly)
  • 林 和志 HAYASHI, Kazushi (UsOnly)
Inventeurs
  • 小橋 宏司 KOBASHI, Koji
  • 橘 武史 TACHIBANA, Takeshi
  • 横田 嘉宏 YOKOTA, Yoshihiro
  • 林 和志 HAYASHI, Kazushi
Mandataires
  • 小栗 昌平 OGURI, Shohei
Données relatives à la priorité
2006-05675002.03.2006JP
2007-00067305.01.2007JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) BEAM DETECTING MEMBER AND BEAM DETECTOR USING IT
(FR) ELEMENT DE DETECTION DE FAISCEAU ET DETECTEUR DE FAISCEAU L'UTILISANT
(JA) ビーム検出部材およびそれを用いたビーム検出器
Abrégé
(EN)
A beam detecting member which can detect the position, its intensity distribution and further their changes in time of a radiant light beam, a soft X-ray beam or the like with high accuracy and constantly for an extended time, and can produce a beam detector at lower costs than conventional ones, and a beam detector using it. A beam detecting member (2) for detecting the position and intensity of a beam, wherein a beam emitting unit (6) emitting a beam (7) consists of a polycrystalline diamond (C) film (4) containing at a rate of X/C=0.1-1000ppm one or at least two kinds of elements (X) selected from at least silicon (Si), nitrogen (N), lithium (Li), beryllium (Be), boron (B), phosphorus (P), sulfur (S), nickel (Ni), vanadium (V), and has a light emitting function of emitting lights (8, 8a) when the polycrystalline diamond film (4) is irradiated with the beam (7). A beam detector (1) consists of such a beam detecting member (2) and emitted light observing means (3, 3a) for observing the above light emitting phenomenon.
(FR)
La présente invention concerne un élément de détection de faisceau pouvant détecter la position, la distribution d'intensité et leurs changements dans le temps d'un faisceau lumineux radiant, d'un faisceau de rayons X de faible puissance ou similaire avec une grande précision et de manière constante pendant une période prolongée, et permettant de produire un détecteur de faisceau plus économique que ceux classiques, et concerne également un détecteur de faisceau l'utilisant. Un élément de détection de faisceau (2) destiné à détecter la position et l'intensité d'un faisceau comprend une unité d'émission de faisceau (6) émettant un faisceau (7) qui consiste en un film (4) de diamant polycristallin (C) contenant à un taux de X/C=0,1-1000 ppm un ou au moins deux types d'éléments (X) sélectionnés dans un groupe comprenant au moins le silicium (Si), l'azote (N), le lithium (Li), le béryllium (Be), le bore (B), le phosphore (P), le soufre (S), le nickel (Ni) et le vanadium (V), et possède une fonction d'émission de lumières (8, 8a) lorsque le film de diamant polycristallin (4) est irradié avec le faisceau (7). Un détecteur de faisceau (1) comprend cet élément de détection de faisceau (2) et des moyens d'observation de lumière émise (3, 3a) destinés à observer un tel phénomène d'émission de lumière.
(JA)
 放射光ビームや軟X線ビーム等の位置及びその強度分布、更には、これらの時間変化を高精度で長期間安定して検出することが可能で、従来の検出装置よりも低コストで製造し得るビーム検出部材およびそれを用いたビーム検出器を提供する。  ビームの位置や強度を検出するためのビーム検出部材2であって、ビーム7が照射されるビーム照射部6が、少なくとも珪素(Si)、窒素(N)、リチウム(Li)、ベリリウム(Be)、ホウ素(B)、リン(P)、硫黄(S)、ニッケル(Ni)、バナジウム(V)から選ばれた一種または二種以上の元素(X)を、X/C=0.1~1000ppm含む多結晶ダイヤモンド(C)膜4からなり、この多結晶ダイヤモンド膜4に前記ビーム7が照射されると発光8,8aする発光機能を有する。このようなビーム検出部材2と前記発光現象を観測する発光観測手段3,3aとによりビーム検出器1を構成する。
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