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1. WO2007097062 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'IMAGE A L'ETAT SOLIDE

Numéro de publication WO/2007/097062
Date de publication 30.08.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2006/319790
Date du dépôt international 03.10.2006
CIB
H01L 27/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
CPC
H01L 27/1462
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
H01L 27/14621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14621Colour filter arrangements
H01L 27/14625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 27/1463
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1463Pixel isolation structures
H01L 27/14632
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14632Wafer-level processed structures
H01L 27/14645
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14645Colour imagers
Déposants
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 古賀一成 KOGA, Kazunari (UsOnly)
  • 田中晶二 TANAKA, Shouzi (UsOnly)
Inventeurs
  • 古賀一成 KOGA, Kazunari
  • 田中晶二 TANAKA, Shouzi
Mandataires
  • 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS
Données relatives à la priorité
2006-04433521.02.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'IMAGE A L'ETAT SOLIDE
(JA) 固体撮像装置
Abrégé
(EN)
A solid-state imaging device comprises a semiconductor substrate (1), a plurality of pixels having a light receiving sensor part (2) formed on the semiconductor substrate, element isolation (3) formed between the pixels in the semiconductor substrate, and an insulating film (4) formed on the upper portion of the pixels and the element isolation. The relationship between the refractive index n1 of the insulating film and the refractive index n2 of the element isolation is n1 < n2. This suppresses the occurrence of a color mixture due to the arrival of light at the element isolation with a large incident angle.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement d'image à l'état solide qui comprend un substrat à semi-conducteurs (1), une pluralité de pixels comportant une partie de capteur de réception de lumière (2) formée sur le substrat à semi-conducteurs, une isolation par éléments (3) formée entre les pixels dans le substrat à semi-conducteurs, et un film isolant (4) formé sur la partie supérieure des pixels et de l'isolation par éléments. La relation entre l'indice de réfraction n1 du film isolant et l'indice de réfraction n2 de l'isolation par éléments est de n1 < n2. Ceci supprime l'apparition d'un mélange de couleurs causé par l'arrivée de lumière au niveau de l'isolation par éléments avec une grand angle incident.
(JA)
 半導体基板1と、半導体基板に形成された受光センサ部2を有する複数の画素と、半導体基板における各画素間に形成された素子分離3と、画素と素子分離の上部に形成された絶縁膜4とを備えた固体撮像装置であって、絶縁膜の屈折率n1と、素子分離の屈折率n2の関係が、n1<n2である。入射角が大きい光が素子分離に到達することによる混色の発生が抑制される。
Également publié en tant que
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