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1. (WO2007097062) DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'IMAGE A L'ETAT SOLIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/097062    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/319790
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 03.10.2006
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
KOGA, Kazunari; (US Seulement).
TANAKA, Shouzi; (US Seulement)
Inventeurs : KOGA, Kazunari; .
TANAKA, Shouzi;
Mandataire : IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-044335 21.02.2006 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'IMAGE A L'ETAT SOLIDE
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state imaging device comprises a semiconductor substrate (1), a plurality of pixels having a light receiving sensor part (2) formed on the semiconductor substrate, element isolation (3) formed between the pixels in the semiconductor substrate, and an insulating film (4) formed on the upper portion of the pixels and the element isolation. The relationship between the refractive index n1 of the insulating film and the refractive index n2 of the element isolation is n1 < n2. This suppresses the occurrence of a color mixture due to the arrival of light at the element isolation with a large incident angle.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de traitement d'image à l'état solide qui comprend un substrat à semi-conducteurs (1), une pluralité de pixels comportant une partie de capteur de réception de lumière (2) formée sur le substrat à semi-conducteurs, une isolation par éléments (3) formée entre les pixels dans le substrat à semi-conducteurs, et un film isolant (4) formé sur la partie supérieure des pixels et de l'isolation par éléments. La relation entre l'indice de réfraction n1 du film isolant et l'indice de réfraction n2 de l'isolation par éléments est de n1 < n2. Ceci supprime l'apparition d'un mélange de couleurs causé par l'arrivée de lumière au niveau de l'isolation par éléments avec une grand angle incident.
(JA) 半導体基板1と、半導体基板に形成された受光センサ部2を有する複数の画素と、半導体基板における各画素間に形成された素子分離3と、画素と素子分離の上部に形成された絶縁膜4とを備えた固体撮像装置であって、絶縁膜の屈折率n1と、素子分離の屈折率n2の関係が、n1<n2である。入射角が大きい光が素子分離に到達することによる混色の発生が抑制される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)