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Paramétrages

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1. WO2007096225 - CAPTEUR DE PRESSION A JAUGES RESISTIVES

Numéro de publication WO/2007/096225
Date de publication 30.08.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/050766
Date du dépôt international 26.01.2007
CIB
G01L 9/00 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
9Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent
CPC
G01L 9/0044
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
0044Constructional details of non-semiconductive diaphragms
G01L 9/0055
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0051using variations in ohmic resistance
0052of piezoresistive elements
0055bonded on a diaphragm
Y10T 29/49103
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
29Metal working
49Method of mechanical manufacture
49002Electrical device making
49082Resistor making
49103Strain gauge making
Déposants
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • DELAPIERRE, Gilles [FR]/[FR] (UsOnly)
  • GRANGE, Hubert [FR]/[FR] (UsOnly)
  • REY, Patrice [FR]/[FR] (UsOnly)
Inventeurs
  • DELAPIERRE, Gilles
  • GRANGE, Hubert
  • REY, Patrice
Mandataires
  • GUERIN, Michel
Données relatives à la priorité
060165224.02.2006FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) PRESSURE SENSOR WITH RESISTIVE GAUGES
(FR) CAPTEUR DE PRESSION A JAUGES RESISTIVES
Abrégé
(EN)
According to the invention the sensor is provided with a cavity (V) hermetically sealed on one side by a silicon substrate (40) and on the other side by a diaphragm (58) that can be deformed under the effect of the pressure external to the cavity, the sensor having at least one resistive gauge (54, 56) fastened to the diaphragm and having resistance that varies as a function of the deformation of the diaphragm. The diaphragm, preferably made of silicon nitride, is fastened to the resistive gauges. The gauges are located beneath the diaphragm inside the sealed cavity (V). It is unnecessary to etch the substrate to produce the cavity: the diaphragm is formed by depositing an insulating layer on a sacrificial layer, for example made of a polyimide, and may cover integrated measurement circuits in the silicon substrate.
(FR)
Selon l'invention on prévoit que le capteur comporte une cavité (V) hermétiquement fermée d'un côté par un substrat (40) de silicium, et de l'autre par une membrane (58) déformable sous l'effet de la pression extérieure à la cavité, le capteur comportant au moins une jauge résistive (54, 56) solidaire de la membrane et ayant une valeur de résistance variable en fonction des déformations de la membrane. La membrane, de préférence en nitrure de silicium, est solidaire des jauges résistives. Les jauges sont situées sous la membrane à l'intérieur de la cavité fermée (V). Il n'est pas nécessaire de creuser le substrat pour réaliser la cavité : la membrane est formée par dépôt d'une couche isolante sur une couche sacrificielle, par exemple en polyimide ; elle peut recouvrir des circuits de mesure intégrés dans le substrat de silicium.
Également publié en tant que
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