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Paramétrages

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1. WO2007094443 - procédé de réglage, procédé de traitement de substrat, dispositif de traitement de substrat, dispositif d'exposition, dispositif d'inspection, système d'inspection de mesures, dispositif de traitement, système informatique, programme et support d'enregistrement d'information

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Numéro de publication WO/2007/094443
Date de publication 23.08.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/052815
Date du dépôt international 16.02.2007
CIB
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
G03F 7/70433
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
G03F 7/70491
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
G03F 7/70525
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control, prediction of failure
G03F 7/70608
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70608Wafer resist monitoring, e.g. measuring thickness, reflectivity, effects of immersion liquid on resist
G03F 7/70616
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
G03F 9/70
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
9Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
70for microlithography
Déposants
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 沖田 晋一 OKITA, Shinichi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 沖田 晋一 OKITA, Shinichi
Mandataires
  • 立石 篤司 TATEISHI, Atsuji
Données relatives à la priorité
2006-04121917.02.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ADJUSTING METHOD, SUBSTRATE TREATING METHOD, SUBSTRATE TREATING DEVICE, EXPOSURE DEVICE, INSPECTION DEVICE, MEASUREMENT INSPECTION SYSTEM, TREATING DEVICE, COMPUTER SYSTEM, PROGRAM, AND INFORMATION RECORDING MEDIUM
(FR) procédé de réglage, procédé de traitement de substrat, dispositif de traitement de substrat, dispositif d'exposition, dispositif d'inspection, système d'inspection de mesures, dispositif de traitement, système informatique, programme et support d'enregistrement d'information
(JA) 調整方法、基板処理方法、基板処理装置、露光装置、検査装置、測定検査システム、処理装置、コンピュータ・システム、プログラム及び情報記録媒体
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Abrégé
(EN)
When a host issues an analysis instruction specifically instructing an analysis content to an analysis device (step 401), the analysis device collects two types of measurement inspection result from a measurement inspection device (steps 403 to 409), analyzes the measurement inspection results to optimize a treatment condition of a series of processes concerning a wafer (W) in step 411. In step 411, data on a treatment state is acquired from a treating device if necessary. In step 413, the measurement inspection result and the optimization result are accumulated in the database and transmitted to the respective treating devices (including the measurement inspection device). After this, the analysis device reports a treatment end to a host (step 417).
(FR)
Selon l'invention, lorsqu'un hôte émet une instruction d'analyse ordonnant spécifiquement un contenu d'analyse sur un dispositif d'analyse (étape 401), le dispositif d'analyse collecte deux types de résultats d'inspection de mesures à partir d'un dispositif d'inspection de mesures (étapes 403 à 409), et analyse les résultats d'inspection de mesures pour optimiser une condition de traitement d'une série de processus concernant une tranche (W) dans l'étape 411. Dans l'étape 411, des données dans un état de traitement sont acquises à partir d'un dispositif de traitement si nécessaire. Dans l'étape 413, le résultat d'inspection et le résultat d'optimisation de mesures sont cumulés dans la base de données et transmis aux dispositifs de traitement respectifs (comprenant le dispositif d'inspection de mesures). Après cela, le dispositif d'analyse signale une fin de traitement à un hôte (étape 417).
(JA)
　ホストが解析内容を具体的に指示した解析命令を解析装置に発する（ステップ４０１）と、解析装置は、測定検査器から、２種類の測定検査結果を収集し（ステップ４０３～ステップ４０９）、ステップ４１１において、それらの測定検査結果を解析し、ウエハＷに関する一連のプロセスの処理条件を最適化する。ステップ４１１では、必要に応じて処理装置から、その処理状態に関するデータを取得する。ステップ４１３では、測定検査結果と最適化結果とがデータベースに蓄積され、最適化結果は、各種処理装置（測定検査器含む）に送信される。その後解析装置は、ホストに処理終了通知を行う（ステップ４１７）。
Également publié en tant que
EP1998361
JP2012238912
JP2013236112
JPWO2007094443
KR1020080103570
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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