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1. (WO2007094432) appareil d'implantation ionique
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094432    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052778
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 15.02.2007
CIB :
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/05 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-Shi Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
OGATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUI, Ryota [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOKOO, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIHASHI, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OGATA, Seiji; (JP).
FUKUI, Ryota; (JP).
YOKOO, Hidekazu; (JP).
NISHIHASHI, Tsutomu; (JP)
Mandataire : TAKAHASHI, Yousuke; Howa Patent Attorneys and Engineering Consultants 2nd Hirota BLD., 13-3, Nihonbashi-Kayaba-Cho-3-Chome, Chu-o-Ku Tokyo 1030025 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-041408 17.02.2006 JP
Titre (EN) ION IMPLANTING APPARATUS
(FR) appareil d'implantation ionique
(JA) イオン注入装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a small ion implanting apparatus for manufacturing single crystalline films, with stable parallelism of ion beams and high controllability of density distribution. The ion implanting apparatus extracts hydrogen ions or rare gas ions from an ion source (12), desired ions (B) are selected from a first fan-shaped electromagnet (14), the ions (B) are scanned by a scanner (16), the ions (B) are parallelized by a second fan-shaped electromagnet (18) and implanted into a substrate (20), and a single crystalline film is manufactured. The ion source (12) is arranged in the vicinity of an inlet side focal point (F1) of the first fan-shaped electromagnet (14). When the opening of the extracting section of the ion source (12) is made circular and that a deflection plane in the first fan-shaped electromagnet (14) matches with the inlet side focal point on a plane vertical to the deflection plane, the spot shape of the ion beam (B) after passing through the first fan-shaped electromagnet (14) becomes circular and completely parallel on the two planes.
(FR)La présente invention concerne un petit appareil d'implantation ionique destiné à fabriquer des films monocristallins, présentant un parallélisme stable des faisceaux ioniques et une capacité de contrôle élevée de la répartition de la densité. Ledit appareil extrait des ions hydrogène ou des ions de gaz rares à partir d'une source d'ions (12), les ions souhaités (B) sont sélectionnés à partir d'un premier électroaimant en forme d'éventail (14), les ions (B) sont balayés par un scanner (16), les ions (B) sont mis en parallèle par un second électroaimant en éventail (18) et implantés dans un substrat (20), et un film monocristallin est fabriqué. La source d'ions (12) est disposée au voisinage d'un point focal latéral d'entrée (F1) dudit premier électroaimant (14). Lorsque l'ouverture de la partie d'extraction de la source d'ions (12) est rendue circulaire et qu'un plan de déflexion dans ledit premier électroaimant (14) correspond au point focal latéral d'entrée sur un plan vertical au plan de déflexion, la forme de la tache du faisceau électronique (B) après avoir traversé ledit premier électroaimant (14) devient circulaire et entièrement parallèle sur les deux plans.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)