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1. (WO2007092919) elimination d'un residu metallique lors de la fabrication d'un circuit integre
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/092919    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/061834
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 08.02.2007
CIB :
G03F 7/42 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
SMITH, Patricia, Beauregard [US/US]; (US) (US Seulement).
HEUNGSOO, Park [KR/US]; (US) (US Seulement).
MATZ, Laura, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHAH, Vinay [US/US]; (US) (US Seulement).
MATZ, Philip, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SMITH, Patricia, Beauregard; (US).
HEUNGSOO, Park; (US).
MATZ, Laura, M.; (US).
SHAH, Vinay; (US).
MATZ, Philip, D.; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, MS 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/349,864 08.02.2006 US
Titre (EN) REMOVAL OF METAL RESIDUE IN INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURE
(FR) elimination d'un residu metallique lors de la fabrication d'un circuit integre
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a method for removing residue from a cavity during the formation of an interconnect structure of an integrated. The method for removing residue from a cavity during the formation of an interconnect structure, among other steps, may include subjecting residue (410) having an embedded metal therein located within a cavity (310) in a dielectric layer (240) and over at least a portion of a conductive feature (220) to a short duration oxidation process so as to oxidize a substantial portion of the embedded metal, and removing the residue containing the oxidized embedded metal using an etch process.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'élimination de résidu à partir d'une cavité lors de la formation d'une structure d'interconnexion d'un circuit intégré. Ledit procédé peut comprendre, entre autres étapes, la soumission du résidu (410) comportant un métal inclus dans celui-ci situé dans une cavité (310) dans une couche diélectrique (240) et sur au moins une partie d'une caractéristique conductrice (220) à un procédé d'oxydation de courte durée de manière à oxyder une partie importante du métal inclus, et l'élimination du résidu contenant le métal inclus oxydé à l'aide d'un procédé d'attaque chimique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)