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1. (WO2007089723) BOITIER THERMIQUE AMELIORE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/089723    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/002432
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 29.01.2007
CIB :
H01L 23/28 (2006.01)
Déposants : MARVELL WORLD TRADE LTD. [BB/BB]; L'Horizon, Gunsite Road, Brittons Hill, St. Michael 14027 (BB) (Tous Sauf US).
LIU, Chenglin [CN/US]; (US) (US Seulement).
LIOU, Shiann-Ming [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Chenglin; (US).
LIOU, Shiann-Ming; (US)
Mandataire : WHITE, Jason, C.; Brinks Hofer Gilson & Lione, PC, NBC Tower, Suite 3600, 455 North Cityfront Plaza Drive, Chicago, IL 60611-5599 (US)
Données relatives à la priorité :
60/763,609 30.01.2006 US
60/788,993 03.04.2006 US
11/471,057 19.06.2006 US
Titre (EN) THERMAL ENHANCED PACKAGE
(FR) BOITIER THERMIQUE AMELIORE
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing an integrated circuit package. The method includes attaching a first surface of a semiconductor die to a thermally and/or electrically conductive substrate, forming a plurality of die connectors on a second surface of the semiconductor die, and encapsulating the semiconductor die and the plurality of die connectors in an encapsulant material. The method also includes removing a portion of the encapsulant material to expose one or more of the plurality of die connectors, thereby forming a routing surface. The method further includes forming a plurality of conductive traces on the routing surface. Each of the plurality of conductive traces is characterized by a first portion in electrical communication with one of the plurality of die connectors and a second portion in electrical communication with a package connector.
(FR)Procédé de fabrication d'un boîtier de circuit intégré. Le procédé comprend les étapes consistant à fixer une première surface d'une puce en semiconducteur sur un substrat conducteur de la chaleur et/ou de l'électricité ; à former une pluralité de connecteurs de puce sur une deuxième surface de la puce en semiconducteur ; et à enrober la puce en semiconducteur et la pluralité de connecteurs de puce d'une matière d'enrobage. Le procédé comprend également l'étape consistant à éliminer une partie de la matière d'enrobage pour mettre à découvert au moins un de la pluralité de connecteurs de puce de manière à former une surface de cheminement. Le procédé comprend en outre l'étape consistant à former une pluralité de rubans conducteurs sur la surface de cheminement, chacun de la pluralité de rubans conducteurs étant caractérisé par une première partie en liaison électrique avec un de la pluralité de connecteurs de puce et une deuxième partie en liaison électrique avec un connecteur du boîtier.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)