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1. (WO2007088503) CIRCUIT À MIROIRS DE COURANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/088503    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050258
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 25.01.2007
CIB :
H03K 17/082 (2006.01), G05F 3/26 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
BUTZMANN, Stefan [DE/DE]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : BUTZMANN, Stefan; (AT)
Mandataire : RÖGGLA, Harald; NXP Semiconductors Austria GmbH, Gutheil-Schoder-Gasse 8-12, A-1102 Vienna (AT)
Données relatives à la priorité :
06101103.7 31.01.2006 EP
Titre (EN) CURRENT MIRROR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT À MIROIRS DE COURANT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a current mirror circuit (40, 50, 60) comprising an input-side transistor (Q1) or field effect transistor and an output-side transistor (Q2) or field effect transistor, which are coupled with their emitters or sources and are connected to a voltage (UB, 55), which are electrically coupled with each other with their respective base (45, 46, 57, 58) or gate and are connected to a the field effect transistor (Q3) in such a way that the source (44) of the field effect transistor (Q3) is coupled to the base (45,46,57,58) or gate of the two transistors (Q1, Q2) or field effect transistors and the drain (47) of the field effect transistor (Q3) is coupled to the collector (48) or drain of the input-side transistor (Q1) or field effect transistor.
(FR)L'invention concerne un circuit à miroirs de courant (40, 50, 60) comprenant un transistor côté entrée (Q1) ou transistor à effet de champ et un transistor côté sortie (Q2) ou transistor à effet de champ, qui sont couplés à leurs émetteurs ou sources et sont connectés à une tension (UB, 55), qui sont électriquement couplés l'un à l'autre à l'aide de leur base respective (45, 46, 57, 58) ou grille et sont connectés à un autre transistor à effet de champ (Q3) de telle sorte que la source (44) du transistor à effet de champ (Q3) est couplée à la base (45,46,57,58) ou grille des deux transistors (Q1, Q2) ou transistors à effet de champ et que le drain (47) du transistor à effet de champ (Q3) est couplé au collecteur (48) ou drain du transistor côté entrée (Q1) ou transistor à effet de champ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)