WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007086009) TRANSISTOR A EFFET TUNNEL A NANOFIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/086009    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050241
Date de publication : 02.08.2007 Date de dépôt international : 24.01.2007
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
HURKX, Fred [NL/NL]; (AT) (US Seulement).
AGARWAL, Prabhat [DE/BE]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : HURKX, Fred; (AT).
AGARWAL, Prabhat; (AT)
Mandataire : RÖGGLA, Harald; NXP Semiconductors Austria GmbH, Gutheil-Schoder-Gasse 8-12, A-1102 Vienna (AT)
Données relatives à la priorité :
06100816.5 25.01.2006 EP
Titre (EN) NANOWIRE TUNNELING TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET TUNNEL A NANOFIL
Abrégé : front page image
(EN)A transistor comprises a nanowire (22, 22') having a source (24) and a drain (29) separated by an intrinsic or lowly doped region (26, 28). A potential barrier is formed at the interface of the intrinsic or lowly doped region (26, 28) and one of the source (24) and the drain (29). A gate electrode (32) is provided in the vicinity of the potential barrier such that the height of the potential barrier can be modulated by applying an appropriate voltage to the gate electrode (32).
(FR)Transistor comprenant un nanofil (22, 22') comportant une source (24) et un drain (29) séparés par une zone (26, 28) intrinsèque ou faiblement dopée. Une barrière de potentiel est formée à l'interface de la zone (26, 28) intrinsèque ou faiblement dopée avec la source (24) ou le drain (29). Une électrode de porte (32) est disposée à proximité de la barrière de potentiel de telle sorte que la hauteur de la barrière de potentiel puisse être modulée par application d'une tension appropriée à l'électrode de porte (32).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)