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1. (WO2007060877) JONCTION SEMI-CONDUCTRICE TRANSPARENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/060877    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322867
Date de publication : 31.05.2007 Date de dépôt international : 16.11.2006
CIB :
C23C 14/08 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
KIKUCHI, Naoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TONOOKA, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIKUCHI, Naoto; (JP).
TONOOKA, Kazuhiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-338639 24.11.2005 JP
Titre (EN) TRANSPARENT OXIDE SEMICONDUCTOR JUNCTION
(FR) JONCTION SEMI-CONDUCTRICE TRANSPARENTE
(JA) 透明酸化物半導体接合
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor junction comprising a glass substrate having a relatively low heat resistance or a plastic substrate and a p-type transparent oxide having a high visible light transmission property coated on the substrate. The semiconductor junction is characterized in that CuCrO2 is coated on the glass substrate or the plastic substrate at a temperature lower than 400˚C as the p-type oxide thin film. In place of CuCrO2, Cu(Cr,M)O2 may be used which has such a structure that Cu in the CuCrO2 is partly substituted by at least one element selected from bivalent cations M=Mg, Ca, Be, Sr, Ba, Zn, Cd, Fe and Ni.
(FR)La présente invention concerne une jonction semi-conductrice comprenant un substrat de verre présentant une résistance à la chaleur relativement faible ou un substrat de plastique et un oxyde transparent de type p présentant une propriété de transmission de la lumière visible élevée recouvrant le substrat. La jonction semi-conductrice est caractérisée en ce que du CuCrO2 recouvre le substrat de verre ou le substrat de plastique à une température inférieure à 400°C et sert de mince pellicule d'oxyde de type p. L’on peut utiliser à la place du CuCrO2 du Cu(Cr,M)O2 qui comporte une structure telle que le Cu dans le CuCrO2 est partiellement substitué par au moins un élément sélectionné parmi les cations bivalents M=Mg, Ca, Be, Sr, Ba, Zn, Cd, Fe et Ni.
(JA) 比較的耐熱性の低いガラス基板上やプラスチック基板上に、可視光に対する透過性が高いp型の透明酸化物を成膜した半導体接合を提供する。  ガラス基板またはプラスチック基板上にp型の透明酸化物薄膜としてCuCrO2を400°C未満で成膜したことを特徴とする半導体接合であり、さらに、上記CuCrO2のCrの一部を二価の陽イオンであるM=Mg、Ca、Be、Sr、Ba、Zn、Cd、Fe、Niのいずれか一種類以上と元素置換したCu(Cr,M)O2を用いたことを特徴とする半導体接合である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)