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1. (WO2007053155) SUPERCONDENSATEURS A DENSITE DE PUISSANCE ELEVEE COMPRENANT DES ELECTRODES DE NANOTUBES DE CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/053155    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/042226
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 17.11.2005
CIB :
H01G 9/00 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street Twelfth Floor, Oakland, CA 94607-5200 (US) (Tous Sauf US).
PAN, Ning [US/US]; (US) (US Seulement).
DU, Chunsheng [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PAN, Ning; (US).
DU, Chunsheng; (US)
Mandataire : PARK, A., Richard; 2820 Fifth Street, Davis, CA 95616 (US)
Données relatives à la priorité :
60/630,766 24.11.2004 US
Titre (EN) HIGH POWER DENSITY SUPERCAPACITORS WITH CARBON NANOTUBE ELECTRODES
(FR) SUPERCONDENSATEURS A DENSITE DE PUISSANCE ELEVEE COMPRENANT DES ELECTRODES DE NANOTUBES DE CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the present invention provides a process for fabricating an electrode for a capacitor using carbon nanotubes (CNTs), wherein the electrode comprises a metal substrate and a layer of active material (CNTs) coated onto the metal substrate. Specifically, the process starts by dispersing CNTs in a solvent to form a suspension. Next, the CNTs are charged in the suspension. The metal substrate is then immersed in the suspension. Next, the CNTs are deposited onto the metal substrate using electrophoretic deposition (EPD) to form the layer of active material on the metal substrate. In particular, the layer of active material is formed on the metal substrate without using a binder, which effectively reduces contact resistance between the active material and the metal substrate.
(FR)Un mode de réalisation de l'invention concerne un procédé de fabrication d'une électrode destinée à un condensateur mettant en oeuvre des nanotubes de carbone (CNT), l'électrode comprenant un substrat métallique et une couche de matériau actif (CNT) revêtu sur le substrat métallique. Plus précisément, le procédé consiste, dans un premier temps, à disperser les CNT dans un solvant, afin de former une suspension. Puis, les CNT sont chargés dans la suspension. Le substrat métallique est ensuite immergé dans la suspension et les CNT sont déposés sur le substrat métallique par dépôt électrophorétique (EPD), afin de former la couche de matériau actif sur le substrat métallique. Plus précisément, la couche de matériau actif est formée sur le substrat métallique sans utiliser de liant, réduisant ainsi nettement la résistance de contact entre le matériau actif et le substrat métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)