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1. (WO2007051795) PROCEDE ET APPAREIL FAISANT VARIER LA DUREE D'UNE PROGRAMMATION ET/OU LA TENSION D'UN TRANSISTOR A FLOTTAISON ELECTRIQUE, ET CELLULE MEMOIRE LES UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/051795    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/067968
Date de publication : 10.05.2007 Date de dépôt international : 31.10.2006
CIB :
G11C 11/406 (2006.01)
Déposants : INNOVATIVE SILICON S.A. [CH/CH]; Pse-b, CH-1015 Lausanne (CH) (Tous Sauf US).
POPOFF, Gregory A. [CA/CH]; (CH) (US Seulement).
DE CHAMPS, Paul [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DAGHIGHIAN, Hamid [CH/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : POPOFF, Gregory A.; (CH).
DE CHAMPS, Paul; (FR).
DAGHIGHIAN, Hamid; (CH)
Mandataire : EHLERS, Jochen; c/o Eisenführ, Speiser & Partner, P.o. Box 10 60 78, 28060 Bremen (DE)
Données relatives à la priorité :
60/731,668 31.10.2005 US
60/736,613 15.11.2005 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR VARYING THE PROGRAMMING DURATION AND/OR VOLTAGE OF AN ELECTRICALLY FLOATING BODY TRANSISTOR, AND MEMORY CELL ARRAY IMPLEMENTING SAME
(FR) PROCEDE ET APPAREIL FAISANT VARIER LA DUREE D'UNE PROGRAMMATION ET/OU LA TENSION D'UN TRANSISTOR A FLOTTAISON ELECTRIQUE, ET CELLULE MEMOIRE LES UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)There are many inventions described herein as well as many aspects and embodiments of those inventions, for example, circuitry and techniques for reading, writing and/or operating a semiconductor memory cells of a memory cell array, including electrically floating body transistors in which an electrical charge is stored in the body of the transistor. In one aspect, the present inventions are directed to one or more independently controllable parameters of a memory operation (for example, restore, write, refresh), to program or write a data state into a memory cell. In one embodiment, the parameter is the amount of time of programming or writing a predetermined data state into a memory cell. In another embodiment, the controllable parameter is the amplitude of the voltage of the control signals applied to the gate, drain region and/or source region during programming or writing a predetermined data state into a memory cell. Indeed, the controllable parameters may be both temporal and voltage amplitude. Notably, the memory cell array may comprise a portion of an integrated circuit device, for example, logic device (for example, a microprocessor) or a portion of a memory device (for example, a discrete memory).
(FR)Plusieurs inventions sont décrites ainsi que plusieurs de leurs aspects ou exécutions, par exemple les circuits et techniques de lecture, écriture, et/ou d'exploitation des cellules mémoires à semi-conducteurs d'un réseau de cellules mémoires y compris des transistors à flottaison électrique de corps dans lequel la charge électrique est stockée dans le corps du transistor; dans un aspect, les présentes inventions ont trait à un ou des paramètres, réglables indépendamment, de fonctionnement de la mémoire (par exemple restaurer, écrire, rafraîchir) permettant de programmer ou écrire un état de données dans une cellule mémoire. Dans une exécution, le paramètre est la durée de programmation ou d'écriture d'un état prédéterminé de données dans une cellule mémoire. Dans une autre exécution, le paramètre réglable est l'amplitude de la tension des signaux de commande appliqués à la grille, à la région drain et/ou source pendant la programmation ou l'écriture d'un état de données prédéterminé dans une cellule mémoire. Les paramètres réglables peuvent être à la fois de temps et d'amplitude de tension. En particulier, le réseau de cellules mémoire peut comporter: un élément de circuit intégré, un dispositif logique (par exemple un microprocesseur), ou une partie de dispositif mémoire (par exemple une mémoire discrète).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)