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1. (WO2007013644) PROCÉDÉ SERVANT À PRODUIRE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/013644    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/315088
Date de publication : 01.02.2007 Date de dépôt international : 25.07.2006
CIB :
C01B 33/033 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (Tous Sauf US).
YAMABAYASHI, Toshiharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMABAYASHI, Toshiharu; (JP)
Mandataire : ENOMOTO, Masayuki; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited, 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5418550 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-218495 28.07.2005 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À PRODUIRE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing polycrystalline silicon which comprises reacting a metal whose chloride has a lower free energy of formation than silicon and whose melting point is lower than that of silicon with a gaseous chlorosilane represented by the following formula (1): SiHnCl4-n (1) (wherein n is an integer of 0-3). In the process, the gaseous chlorosilane is bubbled into a melt of the metal while keeping the molten metal at a temperature which is not lower than 1.03 times the melting point of the metal, in terms of absolute temperature, and is lower than 1.79 times the melting point thereof and which is lower than the melting point of silicon. The chlorosilane is fed at such a rate that the number of moles of the chlorosilane being fed per minute is less than 1.0 percent of the moles of the metal.
(FR)Procédé servant à produire du silicium polycristallin lequel comprend de faire réagir un métal, dont le chlorure a une énergie libre de formation inférieure à celle du silicium et dont le point de fusion est inférieur à celui du silicium, avec un chlorosilane gazeux représenté par la formule (1) suivante : SiHnCl4-n (1) (dans laquelle n est un nombre entier de 0-3). Dans le procédé, on fait buller le chlorosilane gazeux dans une masse fondue du métal tout en maintenant le métal fondu à une température qui n'est pas inférieure à 1,03 fois le point de fusion du métal, en termes de température absolue, et qui est inférieure à 1,79 fois le point de fusion de celui-ci et qui est inférieure au point de fusion du silicium. On introduit le chlorosilane à un débit tel que le nombre de moles du chlorosilane introduit par minute est inférieur à 1,0 pour cent des moles du métal.
(JA)多結晶シリコンの製造方法を提供する。多結晶シリコンの製造方法は、金属の塩化物の生成自由エネルギーがシリコンより低く、かつ金属の融点もシリコンより低い金属と、下式(1)SiHnCl4-n     (1)(式中、nは0~3の整数を示す。)で示される気体のクロロシランとを反応させることによってシリコンを製造する方法であって、気体のクロロシランを溶融金属中に吹き込む際に、該溶融金属の温度を、該金属の絶対温度で表した融点の1.03倍以上1.79倍未満であり、シリコンの融点未満に保持し、かつ毎分当りのクロロシランの供給モル数を金属のモル数に対して、1.0パーセント未満とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)