WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007003170) MONTAGE A FAIBLE TRANSCONDUCTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/003170    N° de la demande internationale :    PCT/DE2006/001132
Date de publication : 11.01.2007 Date de dépôt international : 30.06.2006
CIB :
H03F 3/45 (2006.01), H03F 1/32 (2006.01), H03F 1/48 (2006.01), G05F 3/26 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÄT MANNHEIM [DE/DE]; Schloss, 68131 Mannheim (DE) (Tous Sauf US).
FISCHER, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : FISCHER, Peter; (DE)
Mandataire : GAGEL, Roland; Landsberger Str. 480a, 81241 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 031 119.9 04.07.2005 DE
Titre (DE) SCHALTUNGSANORDNUNG MIT NIEDRIGER TRANSKONDUKTANZ
(EN) CIRCUIT ARRANGEMENT WITH LOW TRANSCONDUCTANCE
(FR) MONTAGE A FAIBLE TRANSCONDUCTANCE
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit niedriger Transkondukt anz, die zumindest einen ersten, in Sättigung betriebenen Transistor (1, 2) mit einem Drain- oder Kollektor- Strom und eine mit dem ersten Transistor (I7 2) verbundene' Eingangsschaltung (3, 4) umfasst. Die Eingangsschaltung (3, 4) ist so ausgebildet, dass eine Änderung einer an der Eingangsschaltung (3, 4) anliegenden Eingangs- Spannung eine Änderung der Drain- oder Kollektor- Spannung des ersten Transistors (1, 2) bewirkt, von der ein Ausgangsstrom der Schaltungsanordnung gebildet oder abgeleitet wird. Mit der vorliegenden Schaltungsanordnung lassen sich sehr niedrige Transkonduktanzen in einem weiten Eingangs Spannungsbereich bei geringem Platzbedarf für die Schaltung erreichen.
(EN)The invention relates to a circuit arrangement with low transconductance which comprises at least one first transistor (1, 2), which operates in saturation with a drain or collector flow, and an input circuit (3, 4) which is connected to the first transistor (1, 2). The input circuit (3, 4) is embodied in such a manner that a modification of an input voltage, which is applied to the input circuit (3, 4), provokes a modification of the drain or collector voltage of the first transistor (1, 2), from where the output flow of the circuit arrangement is formed or derived. The inventive circuit arrangement enables low transconductances in another input voltage region, which is compact, to be obtained for the circuit.
(FR)La présente invention concerne un montage à faible transconductance qui comprend au moins un premier transistor à fonctionnement en saturation (1, 2) avec un courant de drain ou de collecteur, et un circuit d'entrée (3, 4) relié au premier transistor (1, 2). Le circuit d'entrée (3, 4) est conçu de sorte qu'une modification d'une tension d'entrée appliquée au circuit d'entrée (3, 4), provoque une modification de la tension de drain ou de collecteur du premier transistor (1, 2), à partir de laquelle le courant de sortie du montage est constitué ou dérivé. Le montage de l'invention permet d'obtenir des transconductances très faibles sur une autre plage de tension d'entrée, pour un encombrement réduit du montage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)