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1. (WO2007001976) STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR AVEC ELEMENT RADIOELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001976    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/023802
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 19.06.2006
CIB :
H01L 23/12 (2006.01)
Déposants : R828 LLC [US/US]; 6585 Gillis Dr, San Jose, CA 95120-4626 (US) (Tous Sauf US).
CHIH HSIN WANG [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHIH HSIN WANG; (US)
Mandataire : LOVEJOY, David, E.; 102 Reed Ranch Rd, Tiburon, CA 94920-2025 (US)
Données relatives à la priorité :
11/157,300 20.06.2005 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH RF ELEMENT
(FR) STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR AVEC ELEMENT RADIOELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A RF structure including a semiconductor chip with an RF element having an RF core with two electrically connected chip pads, including a chip carrier having two carrier pads connected to the two chip pads and including an antenna connected to the carrier pads and electrically connected to the chip pads and to the RF core. The antenna is formed of wires, printed onductors, seal rings or other structures on, below or above the top plane of the semiconductor chip. A primary element is provided where the RF element is a secondary element. The primary element occupies a primary region and the RF core of the secondary element occupies a secondary region where the secondary region is much smaller than the primary region. The RF core secondary region is formed with the same native processing as used for the primary element.
(FR)L'invention concerne une structure radioélectrique comprenant une microplaquette de semi-conducteur pourvue d'un élément radioélectrique comportant un noyau radioélectrique avec des plages de connexion raccordées électriquement. Cette structure comprend un support de microplaquette comportant deux plages de connexion de support raccordées aux deux plages de connexion de la microplaquette et comprenant une antenne raccordée aux plages de connexion de support et raccordée électriquement aux plages de connexion de la microplaquette et au noyau radioélectrique. L'antenne est constituée de fils, de conducteurs imprimés, de bagues d'étanchéité ou d'autres structures se trouvant sur, au-dessous ou au-dessus du plan supérieur de la microplaquette de semi-conducteur. L'invention concerne également un élément primaire dans lequel l'élément radioélectrique est un élément secondaire. L'élément primaire occupe une région primaire et le noyau radioélectrique de l'élément secondaire occupe une région secondaire bien plus petite que la région primaire. La région secondaire du noyau radioélectrique est formée par la même étape de traitement de base que celle utilisée pour l'élément primaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)