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1. (WO2006127813) AMELIORATION DU RAPPORT SIGNAL/BRUIT DANS DES MICROCIRCUITS ACCELEROMETRES EN TECHNOLOGIE DES SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES SUR SUBSTRAT ET AUTRES DISPOSITIFS EN TECHNOLOGIE DES SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127813    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020083
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 24.05.2006
CIB :
G01P 15/125 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; Mail Station 90/110/CC, 1840 Century Park East, Los Angeles, California 90067-2101 (US) (Tous Sauf US).
ABBINK, Henry C. [US/US]; (US) (US Seulement).
KUHN, Gabriel M. [US/US]; (US) (US Seulement).
GE, Howard [US/US]; (US) (US Seulement).
SAKAIDA, Daryl [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ABBINK, Henry C.; (US).
KUHN, Gabriel M.; (US).
GE, Howard; (US).
SAKAIDA, Daryl; (US)
Mandataire : GESS, Albin H.; SNELL & WILMER LLP, 600 Anton Boulevard, Suite 1400, Costa Mesa, California 92626 (US)
Données relatives à la priorité :
60/684,282 25.05.2005 US
Titre (EN) METHODS FOR SIGNAL TO NOISE IMPROVEMENT IN BULK MEMS ACCELEROMETER CHIPS AND OTHER MEMS DEVICES
(FR) AMELIORATION DU RAPPORT SIGNAL/BRUIT DANS DES MICROCIRCUITS ACCELEROMETRES EN TECHNOLOGIE DES SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES SUR SUBSTRAT ET AUTRES DISPOSITIFS EN TECHNOLOGIE DES SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A fabrication method for reducing parasitic capacitance in a semiconductor device, the semiconductor device having a guard layer (120, 125) separated from a proof mass layer (130) by a bond line (305) , and an electrode (210) separated by a signal gap (320) from a proof mass paddle 205) , by applying a nitride layer (507) on a wafer area for the electrode/proof (210) mass paddle (205) , oxidizing a wafer area for the guard/proof mass layer to form an oxide layer (509) on the surface; and etching the nitride layer (507) on the wafer area of the electrode/proof (210) mass paddle (205) .
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication visant à réduire la capacitance parasite dans un dispositif à semi-conducteur, ce dispositif comportant une couche neutre séparée d'une couche masse d'épreuve par une ligne de liaison, et une électrode séparée de la palette de masse d'épreuve par un intervalle de signal. A cet effet, on applique une couche de nitrure sur la zone de micro-plaquette destinée à l'électrode/palette masse d'épreuve, on oxyde une zone de micro-plaquette permettant à la couche neutre/masse d'épreuve de former en surface une couche d'oxyde, et on attaque chimiquement la couche de nitrure sur la zone de micro-plaquette de l'électrode/palette masse d'épreuve.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)