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1. (WO2006127611) DIAMANT MONOCRISTALLIN INCOLORE PRODUIT PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A VITESSE DE CROISSANCE RAPIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127611    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/019752
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 23.05.2006
CIB :
C01B 31/06 (2006.01)
Déposants : CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON [US/US]; 1530 P Street, NW, Washington, DC 20005 (US) (Tous Sauf US).
HEMLEY, Russell, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
MAO, Ho-Kwang [US/US]; (US) (US Seulement).
YAN, Chih-Shiue [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HEMLEY, Russell, J.; (US).
MAO, Ho-Kwang; (US).
YAN, Chih-Shiue; (US)
Mandataire : SULLIVAN, Mark, J.; Morgan, Lewis & Bockius LLP, 1111 Pennsylvania Avenue, NW, Washington, DC 20005 (US)
Données relatives à la priorité :
60/684,168 25.05.2005 US
Titre (EN) COLORLESS SINGLE-CRYSTAL CVD DIAMOND AT RAPID GROWTH RATE
(FR) DIAMANT MONOCRISTALLIN INCOLORE PRODUIT PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A VITESSE DE CROISSANCE RAPIDE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for producing colorless, single-crystal diamonds at a rapid growth rate. The method for diamond production includes controlling temperature of a growth surface of the diamond such that all temperature gradients across the growth surface of the diamond are less than about 20 0C, and growing single-crystal diamond by microwave plasma chemical vapor deposition on the growth surface of a diamond at a growth temperature in a deposition chamber having an atmosphere, wherein the atmosphere comprises from about 8 % to about 20 % CH4 per unit of H2 and from about 5 to about 25 % O2 per unit of CH4. The method of the invention can produce diamonds larger than 10 carats. Growth rates using the method of the invention can be greater than 50 μm/hour.
(FR)La présente invention a trait à un procédé pour la production de diamants monocristallins incolores à une vitesse de croissance rapide. Le procédé pour la production de diamants comprend le contrôle de la température d'une surface de croissance du diamant de sorte que tous les gradients de température sur toute la surface de croissance du diamant soient inférieurs à environ 20 °C, et la croissance de diamant monocristallin par dépôt chimique en phase vapeur par plasma sur la surface de croissance d'un diamant à une température de croissance dans une enceinte de dépôt ayant une atmosphère, ladite atmosphère comportant entre environ 8 % et environ 20 % de CH4 par unité de H2 et entre environ 5 et environ 25 % de O2 par unité de CH4. Le procédé de l'invention peut produire des diamants supérieurs à 10 carats. Des vitesses de croissance au moyen du procédé de l'invention peuvent être supérieures à 50 $g(m)m/heure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)