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1. (WO2006126536) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126536    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310242
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 23.05.2006
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
TAGAMI, Masayoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONODERA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAGAMI, Masayoshi; (JP).
HAYASHI, Yoshihiro; (JP).
ONODERA, Takahiro; (JP)
Mandataire : AMANO, Hiroshi; Shine-Mita Bldg., 5F 40-4, Shiba 3-chome Minato-ku, Tokyo 1050014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-151836 25.05.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)When a hard mask and a cap insulation film are removed during the production of the interconnect of a semiconductor device having an interlayer insulating film of low dielectric constant, defective adhesion and defective piercing to an interconnect interlayer insulating film portion occur, causing deterioration in interconnect characteristics and reliability. In the invention, the hard mask is removed completely and a modified layer (314) of uniform thickness having a composition different from that of an interconnect interlayer insulating film (313) is formed on the exposed surface of the insulating film (313), thus enhancing the adhesion to a via interlayer insulating film (318) formed on the modified layer (314) and suppressing defective piercing of etching. The modified layer (314) can be formed by a post-cleaning after Cu-CMP and a vacuum plasma processing or a vacuum UV processing before the formation of an insulating film in a state where the insulating film (313) is exposed after Cu-CMP.
(FR)L’invention concerne un dispositif à semi-conducteur présentant, lors du retrait d’un masque dur et d’un film isolateur de borne pendant la production de l’interconnexion du dispositif doté d’un film d’isolation intercouche à faible constante diélectrique, des défauts d’adhésion et de perçage dans une partie du film d’isolation intercouche d’interconnexion, d’où une altération des caractéristiques d’interconnexion et de la fiabilité. Selon l’invention, le masque dur est complètement retiré et une couche modifiée (314) d’épaisseur uniforme ayant une composition différente de celle du film d’isolation intercouche d’interconnexion (313) est formée sur la surface exposée du film (313), ce qui améliore l’adhésion à un film d’isolation intercouche intermédiaire (318) formé sur la couche modifiée (314) et élimine le défaut de perçage de gravure. On peut créer la couche modifiée (314) par post-nettoyage après Cu-CMP et par traitement au plasma sous vide ou traitement UV sous vide avant la formation d’un film d’isolation dans un état où le film (313) est exposé après Cu-CMP.
(JA) 低誘電率層間絶縁膜を有する半導体装置における配線製造時にハードマスクやキャップ絶縁膜の除去を行うと、密着性不良や配線層間絶縁膜部分への付き抜け不良が発生し、配線特性や信頼性の低下を発生する。この問題を解決するため、本発明においては、ハードマスクを取り切って、露出した配線層間絶縁膜313の表面に配線層間絶縁膜313とは組成が異なる均一な膜厚の改質層314を形成することにより、その上に形成するビア層間絶縁膜318との密着性の向上及びエッチングの突き抜け不良を抑制する。改質層314は、Cu-CMP後に配線層間絶縁膜314が露出した状態において、Cu-CMP後の後洗浄、上部ビア層間絶縁膜形成前の真空プラズマ処理または真空UV処理等により、形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)