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1. (WO2006126414) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN ÉLÉMENT LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126414    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309680
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 15.05.2006
CIB :
H01S 5/02 (2006.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
TOTTORI SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 7-101, Tachikawa-cho Tottori-shi, Tottori 6808634 (JP) (Tous Sauf US).
KONTANI, Katsunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KONTANI, Katsunori; (JP)
Mandataire : WIN TECH PATENT OFFICE; 4th Fl., Wenping Kanda BLDG. 6-7, Kanda Kajicho 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010045 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-152364 25.05.2005 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN ÉLÉMENT LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In a method for manufacturing a III-V nitride compound semiconductor light emitting element, light emitting element regions (21) are formed in a low dislocation region on the III-V nitride compound semiconductor substrate wherein high density dislocation sections (22) and low dislocation regions are alternately arranged repeatedly, so that stripe-shaped light emitting regions are in parallel to the direction wherein the high density dislocation sections (22) extend, and then the substrate is broken, after making two scribe lines (23) to have the high density dislocation section (22) in between, on a plane (25) on the opposite side to a plane (24) whereupon the element regions (21) are formed. Thus, chips are separated and the high density dislocation sections (22) can be removed. The pitch of the two scribe lines is preferably 100μm or more. Thus, the method for manufacturing the III-V nitride compound semiconductor light emitting element by which the high density dislocation section can be surely removed without generating chipping or the like in the outer shape and junction down mounting/flip chip mounting can be performed is provided.
(FR)Dans un procédé de fabrication d’un élément luminescent semi-conducteur à composé de nitrure III-V, des régions d’éléments luminescents (21) sont formées dans une région de faible dislocation sur un substrat semi-conducteur à composé de nitrure III-V où des sections de dislocation haute densité (22) et des régions de faible dislocation sont disposées en alternance de façon répétée, de sorte que des régions luminescentes en forme de bandes sont parallèles à la direction dans laquelle les sections de dislocation haute densité (22) s’étendent, et ensuite le substrat est cassé, après avoir fait en sorte que deux lignes d’écriture (23) soient séparées par la section de dislocation haute densité (22), sur un plan (25) sur le côté opposé d’un plan (24) sur lequel sont formées les régions d’éléments (21). Ainsi, les éclats sont séparés et les sections de dislocation haute densité (22) peuvent être supprimées. Le pas des deux lignes d’écriture est de préférence supérieur ou égal à 100 µm. On obtient ainsi le procédé de fabrication d’un élément luminescent semi-conducteur à composé de nitrure III-V permettant de supprimer de façon sûre la section de dislocation haute densité sans générer d'éclats ou similaire dans la forme externe et permettant de réaliser un montage à baisse de jonction/montage flip chip.
(JA) 本発明のIII-V族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法は、高密度転位部22が低転位領域と交互に繰り返し配置されたIII-V族窒化物系化合物半導体基板上に、ストライプ状の発光領域が前記高密度転位部22の延在方向と平行方向になるように低転位領域に発光素子領域21を形成し、次いで、素子領域21が形成された面24とは反対側の面25に前記高密度転位部22を挟むように2本のスクライブライン23を入れた後にブレイクすることにより、チップ分割と高密度転位部23の除去を行うことを特徴とする。このとき前記2本のスクライブラインのピッチを100μm以上とするとよい。これにより、外形に欠け等を生じさせること無く、且つ確実に高密度転位部を除去することができ、ジャンクションダウン実装・フリップチップ実装を行うことが可能なIII-V族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)