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1. (WO2006124450) DISPOSITIFS ET CIRCUITS DE COMMUTATION DE PUISSANCE BIPOLAIRES A BANDE INTERDITE LARGE, ACTIVES OPTIQUEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/124450    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/018068
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 10.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.03.2007    
CIB :
H03K 17/79 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, North Carolina 27703 (US) (Tous Sauf US).
AGARWAL, Anant K. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRISHNASWAMI, Sumithra [IN/US]; (US) (US Seulement).
RICHMOND, James, T., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AGARWAL, Anant K.; (US).
KRISHNASWAMI, Sumithra; (US).
RICHMOND, James, T., Jr.; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428, Raleigh, North Carolina 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
60/680,881 13.05.2005 US
Titre (EN) OPTICALLY TRIGGERED WIDE BANDGAP BIPOLAR POWER SWITCHING DEVICES AND CIRCUITS
(FR) DISPOSITIFS ET CIRCUITS DE COMMUTATION DE PUISSANCE BIPOLAIRES A BANDE INTERDITE LARGE, ACTIVES OPTIQUEMENT
Abrégé : front page image
(EN)An electronic circuit includes a primarly wide bandgap bipolar power switching device configured to supply a load current in response to a control signal applied to a control terminal thereof, and a driver device configured to generate the control signal. At least one of the primary switching device or the driver device may include an optically triggered switching device. A discrete wide bandgap semiconductor device includes a primary bipolar device stage configured to switch between a conducting state and a nonconducting state upon application of a control current, and a bipolar driver stage configured to generate the control current and to supply the control current to the primary bipolar device stage. At least one of the primary bipolar device stage and the bipolar driver stage may include an optically triggered wide bandgap switching device.
(FR)L'invention concerne un circuit électronique qui comprend un dispositif de commutation de puissance bipolaire primaire à large bande interdite, conçu pour fournir un courant de charge en réponse à un signal de commande appliqué à une borne de commande de celui-ci, et un étage d'attaque conçu pour produire le signal de commande. Le dispositif de commutation primaire et/ou l'étage d'attaque peuvent comprendre un dispositif de commutation activé optiquement . L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur discret à large bande interdite, constitué d'un étage composant bipolaire primaire conçu pour commuter entre un état conducteur et un état non conducteur en réponse à l'application d'un courant de commande, et d'un étage d'attaque bipolaire conçu pour générer le courant de commande et pour fournir ce courant de commande à l'étage bipolaire primaire. L'étage composant bipolaire et/ou l'étage d'attaque bipolaire peuvent comprendre un dispositif de commutation à bande interdite large activé optiquement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)