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1. (WO2006114753) PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/114753    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/051261
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 24.04.2006
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/735 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
DONKERS, Johannes, J., T., M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
HIJZEN, Erwin [NL/BE]; (NL) (US Seulement).
VAN NOORT, Wibo, D. [NL/BE]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : DONKERS, Johannes, J., T., M.; (NL).
HIJZEN, Erwin; (NL).
VAN NOORT, Wibo, D.; (NL)
Mandataire : WHITE, Andrew; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, Cross Oak Lane, Redhill, Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
05103521.0 28.04.2005 EP
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING A BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a method for fabricating a bipolar transistor applying a standard shallow trench isolation fabrication method to simultaneously form a vertical bipolar transistor (29) or a lateral bipolar transistor (49) in a first trench (5, 50) and a shallow trench isolation region (27, 270) in a second trench (7, 70). Further, the fabrication method may simultaneously form a vertical bipolar transistor (27) in the first trench (5, 50), a lateral bipolar transistor (49) in a third trench and a shallow trench isolation region (27, 270) in the second trench (7, 70).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire au moyen d'un procédé de fabrication d'isolation de tranchée standard peu profonde pour former simultanément un transistor bipolaire vertical (29) ou un transistor bipolaire latéral (49) dans une première tranchée (5, 50) et une zone d'isolation de tranchée peu profonde (27, 270) dans une deuxième tranchée (7, 70). De plus, ce procédé de fabrication peut permettre de former simultanément un transistor bipolaire vertical (27) dans la première tranchée (5, 50), un transistor bipolaire latéral (49) dans une troisième tranchée et une zone d'isolation de tranchée peu profonde (27, 270) dans la deuxième tranchée (7, 70).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)