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1. (WO2006114347) CAPTEUR DE PRESSION MICROMECANIQUE ET PROCEDE DE REALISATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/114347    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/060351
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 01.03.2006
CIB :
G01L 1/18 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ILLING, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ARMBRUSTER, Simon [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LAMMEL, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BENZEL, Hubert; (DE).
ILLING, Matthias; (DE).
ARMBRUSTER, Simon; (DE).
LAMMEL, Gerhard; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 020 176.8 28.04.2005 DE
Titre (DE) MIKROMECHANISCHER DRUCKSENSOR SOWIE EIN ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) MICROMECHANICAL PRESSURE SENSOR AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
(FR) CAPTEUR DE PRESSION MICROMECANIQUE ET PROCEDE DE REALISATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Mit der vorliegenden Erfindung wird ein mikromechanischer Druck-/Kraftwandler beschrieben, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Dabei ist zur Herstellung des Kraftwandlers vorgesehen, wenigstens einen Piezowiderstand in ein massives Halbleitersubstrat einzubringen. Dabei ist vorgesehen, dass das Halbleitersubstrat wenigstens im Bereich der Piezowiderstände und in der späteren Nutzung frei von Kavernen, Gräben oder sonstigen nachträglich eingebrachten Strukturen ist und somit eine hohe Stabilität gegenüber Verformungen aufweist.. Anschliessend wird im Bereich des Piezowiderstands ein Körper auf das Halbleitersubstrat aufgebracht. Durch eine Krafteinwirkung auf den Körper soll im folgenden durch den wenigstens einen Piezowiderstand ein elektrisches Signal erzeugt werden, welches die Stärke der Krafteinwirkung repräsentiert. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, die Kugel mittels einer speziellen Haftschicht fest mit dem Halbleitersubstrat zu verbinden. Durch eine derartige feste und starre Verbindung lässt sich besonders einfach eine hohe Genauigkeit des Druck-/Kraftwandlers erreichen.
(EN)The invention relates to a micromechanical pressure/force transducer and a method for the production thereof. In order to produce said force transducer, at least one piezo resistor is introduced into a massive semiconductor substrate which is free from cavities, trenches, or other subsequently introduced structures, at least in the region of the piezo resistors and during utilization thereof, thus providing the semiconductor substrate with great stability regarding deformations. A body is then applied to the semiconductor substrate in the region of the piezo resistor. The aim of the invention is for the at least one piezo resistor to generate an electric signal by applying force to the body, said electric signal representing the amount of force applied. Said aim is achieved by connecting the ball in a fixed manner to the semiconductor substrate by means of a special adhesive layer. Such a fixed and rigid connection makes it possible to obtain great accuracy of the pressure/force sensor in a particularly simple fashion.
(FR)La présente invention concerne un convertisseur pression/force micromécanique, ainsi qu'un procédé pour le réaliser. Selon l'invention, afin de réaliser le convertisseur de force, au moins une piezo-résistance est introduite dans un substrat semi-conducteur massif, le substrat semi-conducteur étant dépourvu de cavités, de tranchées ou autres structures pratiquées ultérieurement, au moins dans la zone des piezo-résistances et au cours de l'utilisation ultérieure, et présentant ainsi une stabilité élevée vis-à-vis des déformations. Ensuite, un corps est mis en place sur le substrat semi-conducteur dans la zone de la piezo-résistance. L'action d'une force sur le corps doit permettre par la suite, par l'intermédiaire de la/des piezo-résistance(s), la production d'un signal électrique qui représente l'intensité de la force appliquée. Selon l'invention, la bille est reliée fixement au substrat semi-conducteur au moyen d'une couche adhésive particulière. Une telle liaison fixe et rigide permet d'obtenir de manière particulièrement simple, une précision élevée du convertisseur pression/force.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)