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1. WO2006107502 - ELIMINATIONS D'AGENTS POROGENES ET RESIDUS D'AGENTS POROGENES AU MOYEN DE CO2 SUPERCRITIQUE

Numéro de publication WO/2006/107502
Date de publication 12.10.2006
N° de la demande internationale PCT/US2006/008461
Date du dépôt international 07.03.2006
CIB
B08B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08NETTOYAGE
BNETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
3Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
C23G 1/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
GNETTOYAGE OU DÉGRAISSAGE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DES PROCÉDÉS CHIMIQUES NON ÉLECTROLYTIQUES
1Nettoyage ou décapage de matériaux métalliques au moyen de solutions ou de sels fondus
CPC
H01L 21/02107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02343
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02343treatment by exposure to a liquid
Déposants
  • SUPERCRITICAL SYSTEMS INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • HILLMAN, Joseph, T. [US]/[US] (UsOnly)
  • KEVWITCH, Robert [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • HILLMAN, Joseph, T.
  • KEVWITCH, Robert
Mandataires
  • HAVERSTOCK, Thomas, B.
Données relatives à la priorité
11/094,88230.03.2005US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) REMOVAL OF POROGENS AND POROGEN RESIDUES USING SUPERCRITICAL CO2
(FR) ELIMINATIONS D'AGENTS POROGENES ET RESIDUS D'AGENTS POROGENES AU MOYEN DE CO2 SUPERCRITIQUE
Abrégé
(EN)
A method of and apparatus for treating a substrate to remove porogens and/or porogen residues form a dielectric layer using a processing chamber operating at a supercritical state is disclosed. In addition, other supercritical processes can be performed before and/or after the removal process.
(FR)
L'invention porte sur un procédé et sur un appareil de traitement d'un substrat, ce procédé visant à éliminer des agents porogènes et/ou des résidus d'agents porogènes formant une couche diélectrique, et utilisant dans l'appareil une chambre de traitement fonctionnant à un état supercritique. L'invention porte également sur d'autres processus supercritiques qui peuvent être réalisés avant et/ou après le processus d'élimination.
Également publié en tant que
EP6748325
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