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1. WO2006106644 - LINGOT MONOCRISTALLIN GaAs DOPÉ Si ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE, ET GALETTE MONOCRISTALLINE GaAs DOPÉE Si PRODUITE À PARTIR DUDIT LINGOT MONOCRISTALLIN GaAs DOPÉ Si

Numéro de publication WO/2006/106644
Date de publication 12.10.2006
N° de la demande internationale PCT/JP2006/306215
Date du dépôt international 28.03.2006
CIB
C30B 29/42 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
42Arséniure de gallium
C30B 15/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 27/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
27Single-crystal growth under a protective fluid
C30B 29/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
42Gallium arsenide
Y10T 428/24355
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
24355Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Y10T 428/268
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
268Monolayer with structurally defined element
Déposants
  • DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 大鹿 嘉和 OSHIKA, Yoshikazu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 大鹿 嘉和 OSHIKA, Yoshikazu
Mandataires
  • 阿仁屋 節雄 ANIYA, Setuo
Données relatives à la priorité
2005-10499531.03.2005JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER PRODUCED FROM SAID Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT
(FR) LINGOT MONOCRISTALLIN GaAs DOPÉ Si ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE, ET GALETTE MONOCRISTALLINE GaAs DOPÉE Si PRODUITE À PARTIR DUDIT LINGOT MONOCRISTALLIN GaAs DOPÉ Si
(JA) SiドープGaAs単結晶インゴットおよびその製造方法、並びに、当該SiドープGaAs単結晶インゴットから製造されたSiドープGaAs単結晶ウェハ
Abrégé
(EN)
This invention provides an Si doped GaAs single crystal ingot, which has a low crystallinity value as measured in terms of etch pit density (EPD) per unit area and has good crystallinity, and a process for producing the same. An Si-doped GaAs single crystal wafer produced in a latter half part in the growth of the Si doped GaAs single crystal ingot is also provided. A GaAs compound material is synthesized in a separate synthesizing oven (a crucible). An Si dopant (39) is inserted into the compound material to prepare a GaAs compound material (31B) with the Si dopant (39) included therein. The position of insertion of the Si dopant (39) is one where, when the GaAs compound material (31B) is melted, the temperature is below the average temperature. After a seed crystal (30) is inserted into a crucible (11) for an apparatus for single crystal growth, the GaAs compound material (31B) with the Si dopant (39) included therein and a liquid sealing compound (32) are introduced into the crucible (11). The crucible is set in the apparatus for single crystal growth, where the mixture is heat melted and, while stirring the liquid sealing compound (32), the melt is solidified by a vertical temperature gradient method and the crystal is grown to prepare an Si doped GaAs single crystal ingot. In this case, an Si doped GaAs single crystal wafer is also produced in the latter half part of the growth of the ingot.
(FR)
La présente invention concerne un lingot monocristallin GaAs dopé Si, ayant une faible valeur de cristallinité mesurée en termes de densité de piqûres de corrosion (DPC) par superficie unitaire et ayant une bonne cristallinité, et un procédé de fabrication idoine. L’invention concerne également une galette monocristalline GaAs dopée Si produite dans une moitié ultérieure de la croissance du lingot monocristallin GaAs dopé Si. Un matériau composé GaAs est synthétisé dans un four de synthétisation séparé (creuset). On injecte un dopant Si (39) dans le matériau composé pour préparer un matériau composé GaAs (31B) avec le dopant Si (39) inclus dans celui-ci. La position d’insertion du dopant Si (39) est une position dans laquelle, en cas de fusion du matériau composé GaAs (31B), la température est inférieure à la température moyenne. Après injection d’un cristal d’ensemencement (30) dans un creuset (11) pour un appareil destiné à une simple croissance cristalline, le matériau composé GaAs (31B) avec le dopant Si (39) inclus dans celui-ci et un composé d’étanchéité liquide (32) sont introduits dans le creuset (11). Le creuset est placé dans l’appareil pour permettre une simple croissance cristalline, où le mélange est fondu thermiquement et, tout en agitant le composé d’étanchéité liquide (32), la fusion est solidifiée par un procédé de gradient de température vertical et le cristal suit une croissance pour préparer un lingot monocristallin GaAs dopé Si. Dans ce cas, on produit également une galette monocristalline GaAs dopée Si dans la moitié ultérieure de la croissance du lingot.
(JA)
not available
Également publié en tant que
EP6730163
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