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1. (WO2006054920) HETEROSTRUCTURE, LASER A INJECTION, ELEMENT AMPLIFICATEUR SEMI-CONDUCTEUR ET AMPLIFICATEUR OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/054920    N° de la demande internationale :    PCT/RU2005/000566
Date de publication : 26.05.2006 Date de dépôt international : 15.11.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.07.2006    
CIB :
H01S 5/32 (2006.01)
Déposants : SHVEYKIN, Vasily Ivanovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
GENERAL NANO OPTICS LIMITED [CY/CY]; Centennial Building, 3rd floor, Flat/office 303, Themistokli Dervi, 48, P.C. 1066 Nicosia (CY) (Tous Sauf US)
Inventeurs : SHVEYKIN, Vasily Ivanovich; (RU)
Représentant
commun :
SHVEYKIN, Vasily Ivanovich; ul. Arkhitektora Vlasova, 33-1-11, Moscow, 117393 (RU)
Données relatives à la priorité :
2004133420 17.11.2004 RU
Titre (EN) HETEROSTRUCTURE, INJECTOR LASER, SEMICONDUCTOR AMPLIFYING ELEMENT AND A SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER A FINAL STAGE
(FR) HETEROSTRUCTURE, LASER A INJECTION, ELEMENT AMPLIFICATEUR SEMI-CONDUCTEUR ET AMPLIFICATEUR OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR
(RU) ГЕТЕРОСТРУКТУРА, ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ
Abrégé : front page image
(EN)Heterostructures are used for producing semiconductor injecting radiation sources such as injector lasers, semiconductor amplifying elements and semiconductor optical amplifiers for fibre-optical communications and data transmission systems, optical very high-speed computer and switching systems, for developing medical devices, laser processing equipment, lasers with doubled generated radiation frequency and for pumping solid-state and fibre lasers and amplifiers. The inventive heterostructure, injector laser, semiconductor amplifying element and semiconductor optical amplifier are substantially characterised by the modernisation of the heterostructure active field and inflowing area, the integrated selection of location, compositions, refractive indexes and the thicknesses of the layers thereof which ensure the efficient operation of the injector lasers, semiconductor amplifying elements and semiconductor optical amplifiers in the transition region, where the controlled radiation inflow of the active layer is formed.
(FR)La présente invention se rapporte à des hétérostructures, qui servent à produire des sources de rayonnement à injection semi-conductrices, à savoir des lasers à injection, des éléments amplificateurs semi-conducteurs, des amplificateurs optiques semi-conducteurs utilisés dans des systèmes de communication et de transmission de données à fibres optiques, dans des systèmes informatiques et de commutation optiques ultrarapides, pour la mise au point d'appareils médicaux, de matériel de traitement laser, de lasers à rayonnement double fréquence, ainsi que pour l'excitation de lasers et d'amplificateurs à solides et à fibres optiques. L'invention concerne une hétérostructure, un laser à injection, un élément amplificateur semi-conducteur et un amplificateur optique semi-conducteur, qui se caractérisent essentiellement par une modernisation de la région active et de la région d'afflux de l'hétérostructure, par une sélection complexe de l'agencement, des compositions, des indices de diffraction et des épaisseurs de ses couches, qui permettent un fonctionnement efficace des lasers à injection, des éléments amplificateurs semi-conducteurs et des amplificateurs optiques semi-conducteurs dans la région de transition, dans laquelle est formée l'émission contrôlée du rayonnement à partir la couche active.
(RU)Гетероструктуры используются для создания полупроводниковых инжекционных источников излучения: инжекционных лазеров, полупроводниковых усилительных элементов, полупроводниковых оптических усилителей, которые применяются в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования, лазеров с удвоенной частотой генерируемого излучения, а также для накачки твердотельных и волоконных лазеров и усилителей. Предложены гетероструктура, инжекционный лазер, полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель, существенное отличие которых состоит в модернизации активной области и области втекания герероструктуры, комплексном подборе расположения, составов, показателей преломления и толщин ее слоев, обеспечивающих эффективное функционирование инжекционных лазеров, полупроводниковых усилительных элементов и полупроводниковых оптических усилителей в переходной области формирования контролируемого вытекания излучения из активного слоя.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)