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1. (WO2006049886) GESTION DES DEBRIS AU NIVEAU D'UN COLLECTEUR EUV
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/049886    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/037725
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 20.10.2005
CIB :
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : CYMER, INC. [US/US]; (A Nevada Corporation), 17075 Thornmint Court, San Diego, CA 92127-2413 (US) (Tous Sauf US).
PARTLO, William, N. [US/US]; (US) (US Seulement).
FOMENKOV, Igor, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
ERSHOV, Alexander, I. [US/US]; (US) (US Seulement).
OLDHAM, William [US/US]; (US) (US Seulement).
HEMBERG, Oscar [SE/US]; (US) (US Seulement).
MARX, William, F. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PARTLO, William, N.; (US).
FOMENKOV, Igor, V.; (US).
ERSHOV, Alexander, I.; (US).
OLDHAM, William; (US).
HEMBERG, Oscar; (US).
MARX, William, F.; (US)
Mandataire : CRAY, William, C.; Cymer, INC., Legal Dept., MS/4-2c, 17075 Thornmint Court, San Diego, CA 92127-2413 (US)
Données relatives à la priorité :
10/979,945 01.11.2004 US
Titre (EN) EUV COLLECTOR DEBRIS MANAGEMENT
(FR) GESTION DES DEBRIS AU NIVEAU D'UN COLLECTEUR EUV
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus that may comprise an EUV light producing mechanism utilizing an EUV plasma source material comprising a material that will form an etching compound, which plasma source material produces EUV light in a band around a selected center wavelength comprising: an EUV plasma generation chamber; an EUV light collector contained within the chamber having a reflective surface containing at least one layer comprising a material that does not form an etching compound and/or forms a compound layer that does not significantly reduce the reflectivity of the reflective surface in the band; an etchant source gas contained within the chamber comprising an etchant source material with which the plasma source material forms an etching compound, which etching compound has a vapor pressure that will allow etching of the etching compound from the reflective surface. The etchant source material may comprises a halogen or halogen compound. The etchant source material may be selected based upon the etching being stimulated in the presence of photons of EUV light and/or DUV light and/or any excited energetic photons with sufficient energy to stimulate the etching of the plasma source material. The apparatus may further comprise an etching stimulation plasma generator providing an etching stimulation plasma in the working vicinity of the reflective surface; and the etchant source material may be selected based upon the etching being stimulated by an etching stimulation plasma. There may also be an ion accelerator accelerating ions toward the reflective surface. The ions may comprise etchant source material. The apparatus and method may comprise a part of an EUV production subsystem with an optical element to be etched of plasma source material.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil pouvant comprendre un mécanisme de production de rayons EUV dans lequel est utilisée une source EUV plasma comprenant une matière qui va former un composé de gravure, la source plasma produisant des rayons EUV dans une plage située autour d'une longueur d'onde centrale. Cet appareil comprend : une chambre de production de plasma EUV ; un collecteur de rayons EUV contenu dans la chambre, comportant une surface réfléchissante comprenant au moins une couche renfermant une matière ne formant pas de composé de gravure et/ou formant une couche de composé qui ne réduit pas sensiblement le pouvoir de réflexion de la surface réfléchissante dans ladite plage ; un gaz source d'agent de gravure contenu dans la chambre, renfermant une matière source d'agent de gravure avec laquelle la matière source de plasma forme un composé de gravure, le composé de gravure possédant une pression de vapeur permettant la gravure du composé de gravure à partir de la surface réfléchissante. La matière source d'agent de gravure peut comprendre un halogène ou un composé halogéné. La matière source d'agent de gravure peut être sélectionnée de façon que la gravure soit stimulée en présence de photons des rayons EUV et/ou DUV et/ou n'importe quel type de photons énergétiques excités avec une énergie suffisante pour stimuler la gravure de la matière source de plasma. L'appareil peut également comprendre un générateur de plasma de stimulation de gravure fournissant un plasma de stimulation de gravure dans le voisinage de la surface réfléchissante ; et la matière source d'agent de gravure peut être sélectionnée de façon que la gravure soit stimulée par un plasma de stimulation de gravure. L'appareil peut également comprendre un accélérateur d'ions permettant d'accélérer les ions vers la surface réfléchissante. Les ions peuvent comprendre une matière source d'agent de gravure. L'appareil et le procédé peuvent comprendre une partie d'un sous-système de production EUV avec un élément optique à graver de matière source de plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)