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1. (WO2006048800) PROCEDE DE CROISSANCE D'UNE COUCHE CONTRAINTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/048800    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/053523
Date de publication : 11.05.2006 Date de dépôt international : 28.10.2005
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
PAWLAK, Bartlomiej, J. [PL/BE]; (GB) (US Seulement).
MEUNIER-BEILLARD, Philippe [FR/BE]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : PAWLAK, Bartlomiej, J.; (GB).
MEUNIER-BEILLARD, Philippe; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, Cross Oak Lane, Redhill, Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
0424290.5 02.11.2004 GB
Titre (EN) METHOD OF GROWING A STRAINED LAYER
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE D'UNE COUCHE CONTRAINTE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a Si strained layer 16 on a Si substrate 10 includes forming a first SiGe buffer layer 12 on the Si substrate 10. Then, the first SiGe buffer layer is implanted with an amorphising implant to render the first SiGe buffer layer amorphous using ion implantation. A second SiGe buffer layer 14 is grown on the first SiGe buffer layer after annealing. This produces a relaxed SiGe layer 12, 14. Then, the strained layer of Si 16 is grown.
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance d'une couche contrainte de Si (16) sur un substrat de Si (10). Ledit procédé consiste à former une première couche tampon de SiGe (12) sur le substrat de Si (10) ; à implanter un implant d'amorphisation dans la première couche tampon de SiGe de manière àrendre celle-ci amorphe par implantation ionique ; à cultiver une deuxième couche tampon de SiGe (14) sur la première couche tampon de SiGe après recuit de manière à produire une couche de SiGe non contrainte (12, 14) ; et à cultiver la couche contrainte de Si (16).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)