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1. (WO2006046927) MICROPHONE SILICIUM SANS PLAQUE ARRIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/046927    N° de la demande internationale :    PCT/SG2004/000385
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 29.11.2004
CIB :
H04R 19/04 (2006.01)
Déposants : SILICON MATRIX PTE. LTD. [SG/SG]; 196 Pandan Loop, #06-09 Pantech Industrial Complex, Singapore 128384 (SG) (Tous Sauf US).
WANG, Zhe [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
MIAO, Yubo [SG/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Zhe; (SG).
MIAO, Yubo; (SG)
Mandataire : WATKIN, Timothy, Lawrence, Harvey; Lloyd Wise, Tanjong Pagar, P.O. Box 63, Singapore 910816 (GB)
Données relatives à la priorité :
10/977,692 29.10.2004 US
Titre (EN) A BACKPLATELESS SILICON MICROPHONE
(FR) MICROPHONE SILICIUM SANS PLAQUE ARRIERE
Abrégé : front page image
(EN)A silicon based microphone sensing element (10) and a method for making the same are disclosed. The microphone sensing element (10) has a diaphragm (13a) with a perforated plate (13d) adjoining each side or corner. The diaphragm is aligned above one or more back holes (19) created in a conductive substrate wherein the back hole has a width less than that of the diaphragm. Perforated plates (13d) are suspended above an air gap that overlies the substrate. The diaphragm (13a) is supported by mechanical springs (13b) with two ends that are attached to the diaphragm at a corner, side, or center and terminate in a rigid pad anchored on a dielectric spacer layer. A first electrode (18a) is formed on one or more rigid pads and a second electrode (18b) is formed at one or more locations on the substrate to establish a variable capacitor circuit. The microphone sensing element can be embodied in different approaches to reduce parasitic capacitance.
(FR)L'invention concerne un élément sensible de microphone, en silicium, et un procédé permettant de produire cet élément. Cet élément sensible comprend un diaphragme et une plaque perforée contiguë à chaque côté ou à chaque angle. Le diaphragme est aligné au dessus d'un ou de plusieurs orifices arrière formés dans un substrat conducteur, cet orifice arrière présentant une largeur inférieure à celle du diaphragme. Des plaques perforées sont suspendues au dessus d'une couche d'air intermédiaire formée au dessus du substrat. Le diaphragme est maintenu par des ressorts mécaniques à deux extrémités, attachés au diaphragme au niveau d'un angle, d'un côté ou du centre, et se terminant par une pastille rigide fixée sur une couche d'espacement diélectrique. Une première électrode est formée sur une ou plusieurs pastilles rigides et une seconde électrode est formée dans un ou plusieurs emplacements du substrat de manière à former un circuit à capacité variable. L'élément sensible du microphone peut être réalisé selon différents procédés permettant de réduire la capacité parasite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)