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1. (WO2006046926) MICROPHONE A BASE DE SILICIUM COMPORTANT UN DIAPHRAGME MODEREMENT CONTRAINT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/046926    N° de la demande internationale :    PCT/SG2004/000384
Date de publication : 04.05.2006 Date de dépôt international : 29.11.2004
CIB :
H04R 19/04 (2006.01)
Déposants : SILICON MATRIX PTE. LTD. [SG/SG]; 196 Pandan Loop, #06-09 Pantech Industrial Complex, Singapore 128384 (SG) (Tous Sauf US).
WANG, Zhe [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
MIAO, Yubo [SG/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Zhe; (SG).
MIAO, Yubo; (SG)
Mandataire : WATKIN, Timothy, Lawrence, Harvey; Lloyd Wise, Tanjong Pagar, P.O. Box 636, Singapore 910816 (SG)
Données relatives à la priorité :
10/977,693 29.10.2004 US
Titre (EN) A SILICON MICROPHONE WITH SOFTLY CONSTRAINED DIAPHRAGM
(FR) MICROPHONE A BASE DE SILICIUM COMPORTANT UN DIAPHRAGME MODEREMENT CONTRAINT
Abrégé : front page image
(EN)A microphone sensing element (10) and a method for making the same are disclosed. The sensing element (19) has a diaphragm (22c) and an attached electrical lead-out arm (22f) preferably made of polysilicon that are separated by an air gap from an underlying backplate region created on a conductive silicon substrate (11). The backplate region has acoustic holes (12d) created by removing an oxide filling in a continuous trench that surrounds holde edges and by removing oxide to form the air gap. The diaphragm (22c) is softly constrained along its edge by an elastic element that connects to a surrounding rigid polysilicon layer. The elastic element is typically a polymer such as parylene having a Young’s modulus substantially less than that of the diaphragm. First and second electrodes are connected to the diaphragm through the lead-out arm (22f) and to the substrate (11) through polysilicon via fillings, respectively, and thereby establish a variable capacitor circuit for acoustic sensing.
(FR)L'invention concerne un élément sensible de microphone et un procédé de fabrication de celui-ci. L'élément sensible comporte un diaphragme auquel est fixé un bras de sortie électrique, fait de préférence de silicium polycristallin, ces deux éléments étant séparés par un espace d'air à partir d'une région de plaque arrière sous-jacente formée sur un substrat de silicium conducteur. La région de plaque arrière comporte des trous acoustiques, formés par l'élimination de l'oxyde qui remplit une tranchée continue entourant les bords des trous et par l'élimination de l'oxyde afin de former l'espace d'air. Le diaphragme est modérément contraint sur son bord par un élément élastique qui est relié à une couche de silicium polycristallin rigide environnante. L'élément élastique est généralement un polymère tel que le parylène, dont le module de Young est sensiblement inférieur à celui du diaphragme. Une première et une deuxième électrode sont connectées au diaphragme par le bras de sortie, et au substrat par les matières de remplissage de trous de liaison de silicium polycristallin, respectivement, et permettent de former un circuit à capacité variable destiné à la détection acoustique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)